影响氧化层电荷密度大小的因素有哪些 1 可动离子电荷-指二2113氧化硅中可动的5261电离正离子电荷。绝大多4102数为金属离子电荷和1653氢正离子。2 固定氧化物电荷-指二氧化硅中过剩的硅离子或称为氧空位。为固定正电荷。3 界面陷阱电荷-指二氧化硅中二氧化硅与硅结构的交界处硅的剩余悬挂键。
什么是平带电位？ 平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路e799bee5baa6e997aee7ad94e78988e69d8331333431363539，也就是说不会产生光电流。相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。扩展资料：平带电压计算平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响1）Vfb1Vfb1=φms=φg-φf；对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。φf是相对于本征费米能级的费米势。2）Vfb2以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。参考资料来源：-平带电位
