半导体物理中的金属半导体接触，怎么看看能带向上弯曲还是向下？ 如果你说的2113是半导体与电解液接5261触的话，那么：能带弯曲与 半导体/电解液结4102 有关对于一个n型半导体当其1653费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）
都说半导体制造工艺复杂，但具体的芯片生产流程是怎样的？我国半导体制造工艺落后，真的只是因为半导体制造工艺太复杂了吗？当初核弹氢弹卫星我们很快也搞出来了，为什么。
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的操作原理是怎么样的？ 金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的操作原理编辑金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的核心：金属氧化层半导体电容金属氧化层半导体结构MOSFET在结构上以一个金属氧化层。
