半导体封装中，COF类型的Decap怎样祛除？ 半导体封装技术的现状及动向表1是最近和未来几年便携式通信设备性能进展及预测。前两年还只有通信功能的手机，现在已成为集通信、摄像、照相、传输文字信息和图像信息于一身的现代综合型电子设备，今后几年性能还会进一步提高。表2是半导体芯片的性能预测，LSI的特性线宽即将进入亚0.1μm时代。为了将先进芯片的性能完全引出，以达到表1所示便携通讯设备的性能要求，半导体封装所起的作用今后越来越大。如图2LSI封装形态的发展趋势所示，与传统QFP及7SOP等周边端子型封装(外部引脚从封装的四周边伸出)相对，BGA(ball grid array：球栅阵列)等平面阵列端子型封装(焊料微球端子按平面栅阵列布置)将成为主流。而且，在进入新世纪的二、三年中，在一个封装内搭载多个芯片的MCP(multi chip package：多芯片封装)甚至SiP(system in a package：封装内系统或系统封装)等也正在普及中。表1便携式通信设备性能进展及预测表2半导体芯片的性能预测(价格-性能适中型MPU)顺便指出，SiP是MCP进一步发展的产物。二者的区别在于，SiP中可搭载不同类型的芯片，芯片之间可以进行信号存取和交换，从而以一个系统的规模而具备某种功能；MCP中叠层的多个芯片一般为同一种类型，以芯片之间不能进行。
封装样品decap，腐蚀塑封胶，除了发烟硝酸进行腐蚀和发烟硝酸：硫酸(3：2)的方法，还有什么方法？ 电力电子封装样品decap，腐蚀塑封胶，除了发烟硝酸进行腐蚀和发烟硝酸：硫酸(3：2)这两个方法，还有什么方…
芯片分析EIPD的什么意思可靠性分析关注芯片分析手段：1 C-SAM（超声波扫描显微镜），无损检查：（1）。材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．（2）内部裂纹。（3）分层缺陷。（4）空洞，气泡，空隙等。2 X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段）3 SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）4 EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测（这三者属于常用漏电流路径分析手段，寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）5 FIB做一些电路修改。6 Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程，取die，decap（开封，开帽），研磨，去金球 De-gold bump，去层，染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM，二次离子质谱。
