太阳能硅片在清洗的过程中怎样防止氧化？ 一般硅片清洗是氢氟酸泡去氧化层，然后用除过氧的水清洗。太阳能硅片不知道有没有不同。
单晶硅片和多晶硅片的表面硬度是多少？当接触深度在20～32nm左右时，单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系，硬度和弹性模量基本保持不变，此时所测得的是单晶硅片表面氧化。
半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：（1）SPM：H2SO4/H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.（2）HF(DHF)：HF(DHF)20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀.（3）APM(SC-1）：NH4OH/H2O2/H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.（4）HPM(SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属。
