外延生长的原理 生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺。图1为硅(Si)气相外延的装置原理图。氢(H2)气携带四氯化硅(SiCl4)或三氯氢硅(SiHCl3)、硅烷(SiH4)或二氯氢硅(SiH2Cl2)等进入置有硅衬底的反应室，在反应室进行高温化学反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。其主要化学反应式为（图一），硅片外延生长时，常需要控制掺杂，以保证控制电阻率。N型外延层所用的掺杂剂一般为磷烷(PH3)或三氯化磷(PCl3)；P型的为乙硼烷(B2H6)或三氯化硼(BCl3)等。
化学试剂中AR、GR、CP、PT、表示什么意思？是规格么？怎么解释这些字母？化学试剂中AR、GR、CP、PT、表示的是化学试剂的质量指标级别。它们的意思分别是：分析纯试剂：缩写。
三氯化磷为什么与氧气不反应 请问你有加催化剂吗？如果没加的话，原因可能就是这样。常温下一个是液相一个是气相，而且氧气的活化能也比较高。虽然热力学上可行，但动力学上很慢吧，
