mos管d、s反接的问题 去文库，查看完整内容>；内容来自用户：lgh1243P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不e69da5e6ba903231313335323631343130323136353331333433646364打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。S级有高电平后，不就S大于G了吗？这时候沟道不就打开了？电流就开始走沟道，而不走体二极管了如果D加正电位当然电流从D流向S，而S加正电位对于NMOS管是不推荐的。因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极，G/D/S和B衬底Bulk。虽然说NMOS电流可以从D流向S也可以从S流向D，但是衬底B应该接最低电位，对于N管就是负电位，对于P管就是正电位。也就是说D/S互换使用时，B也要改变连接的位置。而在多数分立的MOS管中已经把B和定义为S的沟道一端连在一起了，只引出G/D/S三个电极，除非有的MOS管B极另有用途而单独引出。这样一来如果D/S交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使用。要求双向导电的场合，可以用N管与P管并联的电路结构不过有些DC/DC的防反接保护就是使用N型MOS管的S至D导通方向来实现的，那样应怎么解释呢？正如你自己所说的这是一个反接保护电路，一反接D就为正了，保护管就起作用了。你还忽略了。
MOS管的工作我想通过控制MOS管GS的电压来达到控制DS极电流输出的大小的目的.比如说MOS管GS极开始导通的电压是4V，完全导通是6V，那么我需要提供给MOS管GS极的电压是在什么范围，才能控制流过的电流大小？
MOS管DS间有寄生二极管，如何测试BVDSS 不是好多mos有反向二极管，而是大部分都有。测BVdss，不管有没有二极管，测试都是一样的。ID=1mA，Vclamp=600V，就是Device GS short，Vd电压从0-600V 往上加，mos管DS有。
