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形成超晶格的要求 半导体超晶格有什么基本性质?哪位牛人可以给我解答

2021-04-03知识6

什么叫超晶格,超晶格和光子晶体有和区别和联系?超晶格:1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念.超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄:-。

半导体超晶格有哪些类型,及其能带结构的特点 超晶格材料按形成它的异质结类型分为第一类、第二类和第三类超晶格。第一二三类超晶格第一类超晶格的导带和价带由同一层的半导体材料形成。第二类超晶格的导带和价带在不同层中形成,因此电子和空穴被束缚在不同半zd导体材料层中。第三类超晶格涉及半金属材料。尽管导带底和价带顶在相同的半导体层中产生,与第一类超晶格相似,但其带隙可从半导体到零带隙到半金属负带隙之间连续调整。[1]超晶格又分以下几种1.组分超晶格:在超晶格结构中,如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄内膜堆垛而成的 叫做组分超晶格2.掺杂超晶格:在同一种半导体中,用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料掺杂超晶格的优点:任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格;多层结构的完整性非常好,由于掺杂量一般比较小,杂质引起的晶格畸变也较小,掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面;掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到容位调制的基体材料能量隙之间的任何值,取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。3.多维超晶格4.应变超晶格

多量子阱与超晶格的区别与联系是什么 都是两2113种或以上的半导体材料交替5261生4102长出的周期性薄层的微结1653构材料专,我的理解,不同的在于,多量属子阱由于量子限域效应,即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时,电子态呈量子化,连续的能带变为分立的能级,形成驻波形式的波函数,且势垒足够厚,可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而超晶格 势垒层很薄,势阱之间耦合强烈,人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.叫做超晶格,是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm,与电子平均自由程(德布罗意波长)可比拟。

#形成超晶格的要求

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