如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 一、性质不同1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧。
PN结是什么？ PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或e68a84e8a2ad62616964757a686964616f31333363396464锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型。
稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负。雪崩击穿时温度系数为正。怎么解释温度与击穿电压的关系？为什么齐 我从本质上来分析一下哈，可能有点繁琐，我采用分条列出（可能会好看一点吧）一、雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数分一下几个过程：1、温度升高，晶格的热振动加剧，使载流子运动的平均自由程缩短；（或者可以从迁移率下降来理解）2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了，而如果加速度（外加电压）不变的话，就达不到碰撞电离的速度（雪崩击穿）；3、那如果要达到碰撞电离的速度，我们就需要提高外界电压（即提高加速度），也就是雪崩击穿电压变大了；4、综上，温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。二、齐纳击穿的反向击穿电压值具有负温度系数分一下几个过程（只是为了好看一点才分的）1、温度升高，导致禁带宽度变窄（半导体物理知识）；2、禁带宽度变窄，则更容易发生隧穿效应（越窄则电场越强，载流子越容易被拉过去）；3、越容易发生隧道效应，则就不再需要原来那么大的外界电压啦（即击穿电压），击穿电压减小；4、综上，温度升高，击穿电压下降，即负温度系数。
