EOS失效机理情况汇总，集成电路EOS失效机理分析方案 静电损伤(ESD)：微电子器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中，可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触，所。
请问，N沟道MOS管，是不是只要Vgs电压达到要求，不管源极电位是多少都能导通？ N沟道MOS管（一般2113源极接地），只要栅源电压5261Vgs>；Vth（通常是0.7V左右），便可在4102栅极下面的P衬底形成1653N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。
n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质，从而形成导电沟道？p沟道的呢？另外，具体是掺在栅氧化层的什么位置呢？
集成电路尺寸越来越小，栅氧化层为什么越来越薄？ 我是这样理解的，不知道对不对，尺寸越小，功耗越低，对应电压电流越小，如果栅氧化层像大工艺的一样厚，…
