什么是P型半导体和N型半导体？其多数载流子和少数载流子各是什么？能否说P型半导体带正电、N型半导体带负 1：P型半导2113体：在纯净的硅晶体中掺5261入三价元素（如硼），使之4102取代晶格中硅原子的位置1653，形成P型半导体，N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。2：N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，空穴称为少数载流子P型半导体中 多数载流子为空穴，少数载流子为电子3：P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子，自由电子是带负电荷载流子。
P型半导体的P是什么意思？N型半导体的N是什么意思？ P型半导体即空穴浓度远大于自e68a8462616964757a686964616f31333431363062由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。P型和N型半导体都属于杂质半导体，掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子，从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。根据杂质半导体中主要影响力的载流子，可以将半导体分为P型半导体和N型半导体。引入杂质后的半导体是很多电子器件的基础。扩展资料：半导体的分类：半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体。化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类；虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行。
什么是P型半导体和N型半导体？都有哪些性质呢？ P型半导体2113多数载流子为空穴的半导体5261。型半导体中，空穴4102为多子，自由电子为少子，主要1653靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。N型半导体多数载流子为电子的半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
四氧化三钴（Co3O4）的物理性质，请详细介绍 性质：灰色或黑色粉末.密度5．8-6．3g／cm3.为一氧化钴合三氧化二钴的产物.露置空气中易于吸收水分，但不生成水合物.缓慢溶于无机酸.加热到1200℃以上时会分解为氧化亚钴.在氢气火焰中强热到900℃时，转变为金属钴.应用领域：主要用作制造珐琅中钴的原料.也用作氧化剂.只能搜到这些了.
p型半导体的\ p是描述Positive(正)，就是空穴，表示在硅晶体中掺上硼，硼有三个电子，相对硅最外层四个电子，就多出了一个空轨道，也就是空穴，带正电，所以叫Positive n是描述negative(负)，就是。
N型半导体和P型半导体的异同 P型半导体也称为空穴2113型半导体。P型半导体即空穴5261浓度远大于自由电子浓度的杂质半4102导体。1653在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子-空穴对，均能自由移动，即载流子，它们。
N型半导体和P型半导体的异同
的特点是什么？ 对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂；对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度；在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的。
