耐压通流能力最强的开关管 电力电子器件的优缺点

知道DC-DC里面开关管的耐压选择么有什么依据 知道DC-DC里面开关管的耐压选择么 典型的降压、升压DC-DC原理见图。在降压型DC-DC中开关管在截止时，续流二极管导通，所以开关管承受的最大电压是输入电压加上续流二极管的正向电压。在升压型DC-DC中开关管在截止时，续流二极管导通，所以开关管承受的最大电压是输出电压加上续流二极管的正向电压。所以，DC-DC里面开关管承受的最大电压是输入和输出电压中较大的电压（忽略续流二极管的正向电压）。在实际设计中，一般选择开关管的耐压为最大工作电压的两倍以上。如设计一个48V/12V的DC-DC中开关管的耐压选择为100V以上。GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件，试给出各元件的主要特点？ GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，。MOS管选择时耐压怎么看？ 比如说电脑主板输入12V，为什么选MOS耐压要选25V以上的？ 选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量。但是具体是由你的应用电路、客户需求以及产品的可靠性要求决定。比如，3.7V的锂电平台，MOS有用12V的，也有用24V的。36V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。只是，谁也说不准什么时候会有刺激、电压波动或异常动作，所以才要加一些设计余量。比如，DCDC肯定是几路并联给不同设备供电的，其中一路重载后负载突降，其输入端电压肯定是要被抬高的，这和电路的设计特性有关，很难真正的计算出来，还有控制器的死区时间控制不好，等等。都会带来电压的跳动，从而使平台电压高于12V的三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。借助这个题目简单介绍一下三极管：。电力电子器件的优缺点 电力二极管：结构和原理简单，工作可靠；晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高。开关电源中的最大负载电流怎么算？ 先要看负载性质，容感性负载才使用开关电源，一般对功率因数影响不大的负载无需用开关电源。对开关电源来说，电压是定值，负载需要的电流平均值就是电源的功率能力。1.电流可能超过，超过的话看电源的功能，有的电源会自动保护关闭输出。没有保护的话会磁芯和开关管发烫烧坏。电压降低的时候已经来不及了。2.如果负载短时超电流问题不大，如果负载电流长时间超过，没保护的话也只是烧电源，不会烧负载。电流输出能力由开关电源的磁芯体积，开关管的耐压耐流决定。当电流过大超过磁芯饱和极限或开关管最大参数时，开关电源烧毁或保护。电力电子器件实际上是一种什么？电力电子器件？ 电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。1、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。2、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。3、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。4、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。特点：电力二极管：结构和原理简单，工作可靠。晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中。GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ IGBT 开关速度高，开关损耗小，2113具有耐脉5261冲电流冲击的能力，通态压降较低，4102输入阻抗高，为电压驱动1653，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTOGTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置设计开关电源时，开关管的耐压（VDS）如何取值？ 反激式开关电源开关管受到的电压为三部分：1、电源电压，220V的峰值为 380V2、复位电压，变压器反冲电压和漏感形成的反电动势。管子复位需要承受的附加电压，这个跟管子的开关占空比有关，占空比越大，复位电压越高。占空比0.4（Dmax）的一般没功率矫正的120-130V，有功率校正的 163-253V。如果管子耐压不够高，要降低复位电压，就把占空比做小，一般小功率的小电源占空比可以做的小些。占空比小，意味着提供电流的时间短，开关输入电容承受的脉冲电流更大些，需要选择的电容要更大一点，耐受脉冲电流也要大一些。占空比不能太小。太小效率不高。3、尖峰电压，没功率矫正的100-150V，有功率矫正的 150-200V不等上面三个电压再加个余量50VVd=380+250+200=830V。没功率矫正，电压小点Vd=380+130+150=660V例如220V电压下限176V时，输出电压占空比为0.2，那么高电压时，复位电压不变，占空比就到0.12了。这个占空比太小，让电源效率非常糟糕。所以提高mos的耐压，可以提高占空比。改善性能效率。85V-265V国际交流电压等级（电流断续）的反激式电源管子耐压数据参考下：D为占空比的最大值和最小值，最大值是100V的占空比，最小值时370V高峰的占空比。600V D0.5-0。.

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