mos与金半接触，为什么要加氧化层？ MOS管的结构基础是MIS结构，这里面的“I”是绝缘体的意思。而且，mos管是栅压控制电流的思路。
mos管的高输入阻抗有什么用 MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想。
MOS管的电容说明 首先考察一个更简单的器件—MOS电容—能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。。
MOS是什么？有什么作用？ 你可以直接到中去查MOS管的资料。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。。
大功率MOS管和功放对管与散热铝片中间为什么要加垫片而不是直接用硅脂或者硅胶 1、大功率MOS管和功放对管与散热铝片中间加垫片或者用硅脂或者硅胶都可以。2、功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体。
AOS MOS管的结构、工作原理、开启全过程、驱动应用有哪些注意事项呢？ 泰德兰电子网：www.tdldz.com 13 人赞同了该回答 《泰德兰电子》提供AOS美国万代功率 MOSFET 的型号选型及应用问题分析以及 AC-DC，DC-DC电源IC方案型号推荐-AOS MOS管的。
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容
