电路中MOS管损坏问题 你好：1、MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。2、请看附图。图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。因为MOS管属于电压控制器件，100K电阻不影响MOS管的开关状态。
怎么用万用表测量MOS管的好坏？ 以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。在测量完5N60C的D-S两极，并且确实是好的之后，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应。
mos管的最大持续电流是如何确定的？ MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此。
贴片mos管和三极管封装是不是都是一样依次BCE MOS 管是(正面朝上时)，上：D(drain)，左：G(gate)，右：S(source).封装：SOT-23三极管 是(正面朝上时)，上：C(collector)，左：B(base)，右：E(emitter).封装：SOT-23
