隔离技术-STI与LOCOS的区别 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：ken_tan隔离技术简介一、隔离的目的：完整的电路是由分离的器件通过特定的电学通路连接起来的，因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来，这些器件随后还要能够互连以形成所需要的特定的电路结构。隔离不好会造成漏电、击穿低、闩锁效应等。因此隔离技术是集成电路制造中一项关键技术。二、隔离技术的要求隔离区域的面积尽量e68a84e8a2ad7a686964616f31333433623766要小表面尽量平坦，台阶要小制造过程中不增加缺陷（栅氧完整性，二极管漏电）器件特性不变（短沟道效应）工艺复杂度尽量要小，并和先前以及未来的工艺兼容。三、常见的隔离工艺技术结隔离（多用在双极）局部硅氧化隔离LOCOS（全称是：LOCalOxidationofSilicon）（多用在亚微米以前的工艺）基于LOCOS的技术，如PBL（Polybuffered LOCOS)、PELOX等。沟槽隔离（trench&refill），浅沟槽隔离（STI）四、LOCOS隔离：1）LOCOS0.5微米以上的MOS工艺器件之间的场氧隔离一般采用LOCOS结构，它具有制作简单的特点，在3~0.6μm的工艺中被广泛采用，缺点是隔离区会形成鸟嘴，减小了有源区的有效长度。LOCOS结构的制作过程是利用SiN薄膜掩蔽氧化层的特点，先在器件的有源。
求集成电路&硅？？
国际上表示吸附力的方法 1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接。
