对于量子阱和超晶格，最常见的平面光学各向异性因素有哪些 (如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感，据此.主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物.气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微
超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
论述量子阱、超晶格、多孔硅的发光原理，研究进展和应用情况。有哪位 书店买无机化学，有超晶格，多孔硅详细解答，量子阱要买量子物理，我目前没有看到
超晶格、 半导体材料但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料。
关于量子阱和超晶格 量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱。
多量子阱与超晶格的区别与联系是什么 都是两2113种或以上的半导体材料交替5261生4102长出的周期性薄层的微结1653构材料专，我的理解，不同的在于，多量属子阱由于量子限域效应，即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时，电子态呈量子化，连续的能带变为分立的能级，形成驻波形式的波函数，且势垒足够厚，可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而超晶格 势垒层很薄，势阱之间耦合强烈，人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.叫做超晶格，是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm，与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟。
谁能详述量子阱效应？？ 量子阱有着三明治一样的结构，中间是很薄的一层半导体膜，外侧是两个隔离层。用激光朝量子阱闪一下，可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴。通常情况下，电子会与空穴结合，放出光子。科学家将量子阱的上层制造得特别薄，厚度不足30埃，这样就可迫使中间层产生的电子与空穴结合时，以变化的电场而不是光子的形式释放能量。电场的作用使邻近的量子点中产生新的电子和空穴，从而令它们结合并放出光子.以上是别人的，不是我自己的。经典物理学认为，粒子不可能贯穿能量较低的势阱，但量子力学的有关实验发现，粒子还是有小概率通过的。
双异质结与量子阱的区别 双异质结忽略渐变态，就构成量子阱
