超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
超晶格、 半导体材料但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料。
多量子阱与超晶格的区别与联系是什么 都是两种或以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料，我的理解，不同的在于，多量子阱由于量子限域效应，即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时，电子态呈量子化，连续的能带变为分立的能级，形成驻波形式的波函数，且势垒足够厚，可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而超晶格 势垒层很薄，势阱之间耦合强烈，人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.叫做超晶格，是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm，与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟
半导体超晶格有哪些基本性质？半导体超晶格有？由两种或两种以上组分不同，或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结：-超。
关于半导体超晶格有谁知道半导体超晶格领域从1999到2006年有什么比较大的发展或成果？谢谢大家了！因为我在做这方面的一篇文章，缺乏这段时间的信息，希望大家能够？
超晶格的半导体特性 如果超晶格是由两种具有不同带隙的半导体材料构成，每个量子阱都会形成新的选择定则影响电荷在此结构中的运动。这两种半导体材料是交替的以一定的周期沿着特定的生长方向来沉积的。自从1970年江崎和朱兆祥提出这种合成超晶格的方法以来，这种超细半导体的物理机制的研究已经取得了大量的成果。在量子限域（quantum confinement）概念提出以后，人们已经从孤立的量子阱异质结中观察到了量子效应，这些都通过遂穿现象和超晶格紧密的联系在了一起。所以这两种物理概念都是在同样的物理基础上进行讨论的，但是在电子学和光学设备上有着不同的应用。
半导体材料的战略地位 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
