ZKX's LAB

LED的工作原理与基本结构是什么? InGaN超晶格工艺

2021-03-18知识0

LED的工作原理与基本结构是什么? 当一个正向偏压施加于PN结两端,由于PN结势垒的降低,P区的正电荷将向N区扩散,N区的电子也向P区扩散,同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件,。

请问生意经的朋友,出口到日本的led灯管需要什么专利?求解答 出口日本的led灯管,国际上有关gan基材料和器件的专利有以下特点:*有关gan基材料的专利数量大,总数在数千项以上,但大部分都在20世纪90年代以后申请。关键专利都掌握在日本、。

既然光是一种高频的电磁波,那么我们能否借助 LC 振荡电路发出可见光? temperature continuous-wave lasing in GaN/InGaN microdisks,Nature Photonics,1,61-64(2007)http://www. nature.com/nphoton/jour nal/v1/n1/full/nphoton.2006.52.html 。

LED的工作原理与基本结构是什么? lED是light emitting diode的缩写,中文名称“发光二极管”其发光原理跟激光的产生相似。一个原子中的电子有很多能级,当电子从高能级向低能级跳变时,电子的能量就减少了,而减少的能量则转变成光子发射出去。大量的这些光子就是激光了。LED原理类似。不过不同的是,LED并不是通过原子内部的电子跃变来发光的,而是通过将电压加在LED的PN结两端,使PN结本身形成一个能级(实际上,是一系列的能级),然后电子在这个能级上跃变并.

LED的工作原理与基本结构是什么? 当一个正向偏压施加于PN结两端,由于PN结势垒的降低,P区的正电荷将向N区扩散,N区的电子也向P区扩散,同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件,通常P区的载流子浓度远大于N区,致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结,情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的,对于PN结系统,注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合,其中多余的能量将以光的形式向外辐射,这就是LED发光的基本原理。通常,禁带宽度越大,辐射出的能址越大,对应的光子具有较短的波长;反之,禁带宽度越小,辐射出的能量越小,对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP,GaInAIP,InGaN,GaAIAs等半导体材料,其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域,从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。

朱建军的科研经历 参与研制国内首台能同时生长3C-SiC和厚膜GaN材料的高温CVD/HVPE复合淀积系统。在其基础上完成了自然科学基金项目“蓝色发光二极管用SiC 材料生长的基础研究”。承担中国科学院应用研究与发展重点项目“GaN/SiC/Si 异质外延材料的生长与研究”以及863 项目“高亮度蓝光、绿光LED 的产品开发和规模化生产关键技术的研究”中“氮化物立方GaN 蓝、绿光发光器件研制与产品开发”子课题,并顺利完成。参与和承担“氮化镓激光器”、“氮化镓紫外探测器”“GaN/Si基材料生长与研究”等多项863 项目的研究,主要从事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生长与分析。把质量管理中常用的试验设计方法引入到GaN基材料与器件结构的外延生长,成功制备了GaN 基激光器结构外延片;在此基础上中科院半导体所实现了中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的成功研制。承担863项目“高效大功率半导体灯用近紫外LED生产技术研究”,顺利完成。承担自然科学基金项目“AlInN 材料的MOCVD 生长与应用研究”(批准号 60576003,2006,1-2008,12),顺利完成,最终评定结果为优承担中科院重大科研装备研制项目“III族氮化物生长用原子层化学。

#InGaN超晶格工艺

随机阅读

qrcode
访问手机版