大角度晶界能和表面能哪个大？ 能不能分析一下 还有小角度晶界能和层错能哪个大？ 为什么晶界处点阵畸变大

大角度晶界能和表面能哪个大？ 能不能分析一下 还有小角度晶界能和层错能哪个大？ 大角度晶界能核心能占主要部分，和取向的关系不大，一般典型金属的大角度晶界在0.32J.m2(Al)到0.87J.m2（Ni）之间，另外如果晶界有杂质原子的偏析，会造成一个奇异点，而表面能和接触的表张力有关，例如Al的表面能的实验值为1.143～1.16j/m2，但是铝有各向异性，实验数据不能反映表面各向异性，Al的表面能的第一原理计算结果：1.199（111面）；1.347（100面）；1.271（110面），可以看出表面能要大于大角度晶界能小角度晶界能其组成主要是晶界应变场的弹性能，而应变场又是组成晶界的点阵位错阵列造成，两晶粒见的位向对小角度晶界能的影响较大，其计算不仅需要包括位错密度、位错心部的能量以及周边的应力弹性场造成的畸变能，而层错能由两个不全位错组成，为了降低能量的增加造成结构的不稳定性，全位错分解成不全位错，但是总来说，层错能的计算用位错能计算即可，从这就能看出层错能要小于小角度晶界能，从量上来理解，小角度位错是堆积了众多的位向位错，而层错所包含的位错是有限，虽然有点不恰当，但是这也可以看出层错能要小于小角度位错合金的相结构有哪些 1、固溶体是指溶质原子溶入溶剂晶格中而仍保持溶剂类型的合金相。通常以一种化学物质为基体溶有其他物质的原子或分子所组成的晶体，在合金和硅酸盐系统中较多见，在多原子。晶界处滑移阻力最大；为什么呢 晶界上原子排列较乱，点阵畸变严重，杂质原子也容易在晶界偏聚，而且晶界两侧的晶粒取向不同，滑移方向和滑移面互不一致，因此，滑移要从一个晶粒滑移到下一个晶粒相当困难.金属晶体中的面缺陷有什么和什么 实际金属晶体中存在缺陷，这些缺陷是：（1）点缺陷：如空位，间隙原子，置换原子.（2）线缺陷：如刃型位错，螺旋型位错.（3）面缺陷：分外表面和内界面两类.内界面型如晶界，亚。属于晶体面缺陷的是什么？ 面缺陷的定义工程材料学中，面缺陷是指二维尺度很大而第三维尺度很小的缺陷。在两个方向上尺寸很大，在一个方向上尺寸很小的缺陷。晶界和亚晶界表面、相界表面定义：由于偏聚，表面吸附作用，导致表面层原子间结合键与晶体内部不等，故表面层原子偏离平衡位置，并影响附近几层原子，造成高能点阵畸变，我们就称这个发生畸变的若干层原子层为“表面”。晶界与亚晶界属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界；而每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。根据晶界两侧晶粒位相差的不同可分为小角度晶界和大角度晶界。亚晶界属于小角度晶界。相界具有不同结构的两相之间的分界面称为“相界”。按结构特点，相界面可分为共格、半共格和非共格相界三种类型。对于金属： 为什么晶界能比表面能大？ 晶界能和表面能定义具体指什么？都属于金属键吗？ 晶界能：形成单位面积界面系统时，系统的自由能变化时，他等于界面区单位面积的能量减去无界面时该区单位面积的能量。表面能：晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能，也。面缺陷的面缺陷的种类？ 面缺陷的种类繁多，金属晶体中的面缺陷主要有两种：晶界和亚晶界。结构复杂，对于晶体的物理性能有着广泛的影响。晶体中相邻畴区间的交接往往不是任意的，通常只有那些点阵匹配度较好，具有特定形态及结构，因而界面能较低的面缺陷能够存在。人们通常按界面两侧晶体结构之间的关系将其分为平移界面、孪晶界面及晶粒间界三大类别。界面两侧晶体以一特征的非点阵平移相联系者称平移界面，包括堆垛层错、反相畴界和结晶切变面等面缺陷。堆垛层错常见于密堆积结构及层状结构的晶体中(图1)，是晶体的密排面按正常顺序堆垛时引入反常顺序堆垛所形成的一种面缺陷。例如，面心立方晶体以 {111}六方密排面按密堆积方式堆垛而成，正常堆垛顺序是…ABCABC…（A、B、C分别标记原子位置为a、b、c的原子层）。若引入反常顺序堆垛，则成…ABC↑BC…或…ABC↑BABC…，前者相当于抽走A层，后者相当于插入B层，分别称作抽出型层错和插入型层错。层错的引入使其两侧的晶体相对位移了，但晶体仍保持为密堆积结构，因而具有较低的界面能量。反相畴界是有序固溶体合金中有序畴间的界面，与有序超结构的非点阵平移相关，使界面两侧近邻原子对的性质与正常有序态不同，但无明显点阵畸变。如果这种非点阵。

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