电容温度特性 电容器在温度变高时电容量可以变低也可以变高,一、温度与电容的寿命。一般情况下,电容的寿命随温度的升高而缩短,最明显的是电解电容器。一个极限工作温度为85℃的电解电容器,在温度为20℃的条件下工作时,一般情况可以保证181019小时的正常工作时间;而在极限温度85℃的条件下工作时,一般情况仅仅可以保证2000小时的正常工作时间。所以,在设计电路时,应注意此情况。二、温度与电容的损耗角正切值。任何电容器都有一个损耗角正切值,即电容器的损耗。一般情况下正切值是随温度的升高而增加的。例如CC10型超高频瓷介电容的损耗角正切值,在正常温度下(20℃±5℃),为0.0012,在正极限温度下(85℃),却为0.0018。可以看出,受温度的影响是较大的。三、温度与电容的绝缘电阻。一般情况下,电容的绝缘电阻随温度的升高而降低,绝缘电阻的降低又将导致电容的漏电流增大。四、温度与电容的容量。电容的温度系数是指电容的容量随温度的变化而变化。在设计精密电容定时电路和由电容决定频率的振荡电路时,应该充分考虑到温度对电容容量的影响,否则,所设计的电容定时电路就会定时不准确;振荡电路的振荡频率就会随温度的变化而变化。总而言之,在使用电容器时,。三极管的温度特性 随着温度的升高,三极管的工作效用越高。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。扩展资料:三极管的相关原理:1、发射区向基区发射电子:电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合:电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3。三极管的温度特性? 温度对三极管参数的影响 几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。(1)对β的影响:三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大。(2)对反向饱和电流ICEO的影响:ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管ICEO的影响不大。(3)对发射结电压ube的影响:和二极管的正向特性一样,温度上升1℃,ube将下降2~2.5mV。综上所述,随着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,uCE将下降,这对三极管放大作用不利,使用中应采取相应的措施(如加装散热片等)克服温度的影响。LD的温度特性是什么? LD的温度特性:输出光功率随温度增大而减小,产生原因有两个,一是激光器的阈值电流随温度升高而增大,二是外微分量子效率随温度升高而减小,稳定功率的两种方法:(1)使用热电冷却器保持环境温度(2)增大偏置电流补偿阈值变化LD的光谱特性:(1)单模激光:光谱只有一根谱线,谱线峰值波长称为中心波长,谱线宽度小于0.1nm,光谱很窄负温度特性的含义 是指温度变化引起的电参数的变化,两者方向相反。例如,负温度特性的热敏电阻,当温度升高时,其阻值是减小的。温度有哪些特性 温度的特性就是传导,温度高的向温度低端传递,温度差越大传导越快。在不同的介质中传导速度不同,真空中环境中传导比较慢。温度的特性要相对于其他物体而。电容温度特性是什么? 电容温度特性是在温度高时电容可以变高也可以变底。电容器:是一种能储存电荷的容器,它是由两片靠得较近的金属片,中间再隔以绝缘物质而组成的,按绝缘材料不同,可制成各种各样的电容器。电容温度:系数表达式为:αc=(式中:αc为电容温度系数,C为给定温度下的标称电容,dC为当温度变化dt时电容的变化值,dt为温度的变化值)。如在某温度范围内,则电容量的平均温度系数的表达式为:(式中C为电容量;Δt为温度变化值,ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。电容对温度比较敏感,不论是环境温度过高还是过低,都会导致容量的下降,甚至损坏。很多系统为了简化系统,降低成本,大多采用阻容式复位电路实现,当电容因为温度过低或过高的时候,电容的容量过低,导致复位脉冲信号保持时间过短,进而是系统复位异常,造成系统不稳定。另外电容的另一个作用是电源滤波,容量的下降必然导致原先设计的滤波性能下降。对于一些对电源纹波比较敏感的电路,必然导致可靠性的下降。
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