有哪位朋友精通半导体激光器（LD）咯？我这里有份LD的参数，里面有个LD reverse current是什么意思？ 半导体激光器恒流控制

冷水机工作原理图是什么 事先向机内水箱注入一定量2113的水，通过5261冷水机制冷系统将水冷却，4102再由水泵将低温冷却水1653送入需冷却的设备，冷水机冷冻水将热量带走后温度升高再回流到水箱，达到冷却的作用。在空调系统，冷冻水通常是分配给换热器，或线圈在空气处理机组，或其他类型的终端设备的冷却在其各自的空间（S的空气），然后冷却水重新分发回冷却被冷却了。这些冷却线圈转移显热和潜热从空中到冷冻水，因此，通常除湿冷却空气流。一个典型的空调机组应用的额定为15至1500吨（180，000 18，000，000 英制热量单位/h或53至5，300 千瓦）的制冷量。扩展资料冷却原理：冷水机系统的运作是通过三个相互关联的系统：制冷剂循环系统、水循环系统、电器自控系统。压缩机：压缩机是整个制冷系统中的核心部件，也是制冷剂压缩的动力之源。它的作用是将输入的电能转化为机械能，将制冷剂压缩。冷水机制冷剂循环系统：蒸发器中的液态制冷剂吸收水中的热量并开始蒸发，最终制冷剂与水之间形成一定的温度差，液态制冷剂亦完全蒸发变为气态后被压缩机吸入并压缩（压力和温度增加），气态制冷剂通过冷凝器（风冷/水冷）吸收热量，凝结成液体，通过热力膨胀阀（或毛细管）节流后变成低温低压制冷。直流电源 都是电压源 电流表吗 直流电源除了有电压源外，还有电流源。电流源的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动不会改变电流大小。在电流源回路中串联电阻无意义，因为它不会改变负载的电流，也不会改变负载上的电压。直流电压源的应用：直流电阻精密测量半导体器件连续I-V特性测量发光二极管LED、半导体激光器LD高稳定度恒流驱动LED、LD加速老化测试铂电阻、NTC、PTC、Hall等精密传感器高稳定度电流偏置工业4—20mA电流环变送接口测试直流电流校准高分辨率微弱磁场发生器，抵消地磁场自动电阻参数测试系统、磁电阻测试热偶真空计测量和校准精密电镀、电解过程控制有哪位朋友精通半导体激光器（LD）咯？我这里有份LD的参数，里面有个LD reverse current是什么意思？ 这个是个典型值，一般的LD都是10uA的反向电流限制你只要别把电源正负弄反就不会有问题~接反了LD就挂了~反向电压一般来说最高不能过2V~超过了就击穿。然后你LD就白买了。有哪位朋友精通半导体激光器（LD）咯？我这里有份LD的参数，里面有个LD reverse current是什么意思？ 这个是个典型值，一般的LD都是10uA的反向电流限制 你只要别把电源正负弄反就不会有问题~接反了LD就挂了~反向电压一般来说最高不能过2V~超过了就击穿。。半导体激光电源的稳流电路 在稳压或稳流电源中，目前常用的是开关电源和线性电源，由于开关电源的瞬态响应较差、纹波系数较大[2]，对瞬态特性和温度要求较高的半导体激光驱动电源采用线性电源较为合理。为了实现高的电流稳定度，驱动电路大多采用负反馈的控制方法，原理图见图2。工作时，通过电阻电流采样反馈为驱动电流提供有源控制。方法是在功率晶体管的源极串联一个采样电阻RS，用于取样反馈，该取样电压经过I/U转后，作为反馈电压与设定电压进行比较，进而通过调整功率晶体管的电阻大小对输出电流If进行调整。整个闭环反馈系统处于动态平衡中，以达到稳定电流的目的。输出电流If与设定的参考电压Vref的关系可由负反馈原理得到，上式只是一个近似的表达，随着负载的不同和输入电压的变化，输出电流还是有微小的变化，但是由于前置放大器放大倍数很高，使得输出电流变化很小，稳定度一般能达到10-5量级。实际上，线形稳压源和稳流源的结构原理基本相同，只是输出方式的不一样，即负载的加载方式不同，譬如，在图2中，如果负载也采样电阻并行连接，图2 就成了一个恒定输出电压为Vref的稳压源。同样的，基于这种方式的稳压源稍加调整也可作为恒流源。目前，各种可调稳压器集成芯片技术成熟，产品丰富，因此可以对这种芯片。怎么用matlab进行半导体激光器特性的数值仿真？【高悬赏】 二极管激光器及二极管泵浦的固体激光器现已成为固体激光器的发展主流，其转换效率高，稳定性好、可靠性高，是迄今惟一不需维护的激光系统，具有输出的光束质量高、体积小、结构。光电池的发展及应用 光电池是采用激光光源将电能转换成光能，再通过光纤传输送到光电转换器，由光电转换器将光能转换成电能，从而给光电式电流（电压）互感器供电。光电池由以下几部分组成：1。高稳定度半导体激光器恒电流研究论文 摘要：近年来，随着我国工业、医疗、军事等行业的发展，半导体激光器也得到了广泛应用。半导体激光器对于驱动电源具有较高的要求，其需要高稳定度、低纹波、高精度、高效率。简诉半导体激光器的构成及各部分作用 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GaAS，InAs，InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作。半导体激光器驱动电路 三极管也是射极输出，没有电压放大，有电流放大作用；通过负反馈使得运放输出电压稳定，从而三极管输出电流稳定，属于可控恒流源的一种形式；U3=U2-Ube；U3=2（U+U'）；U4=U3-Ic*R5；

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