如何测试判断场效应管好坏？ 1、场效应管的检测方法：2113把数5261字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效4102应管的三只引1653脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300-800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300-800左右读数时此管也为好管。4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制 。
场效应管与MOS管是一回事吗？场效应管和MOS管不是一回事，MOS管可以说是场效应管的一种，除此之外场效应管还包括结型管，具体关系可以参考下图既然提到：-场效应管，mos，一。
MOS场效应管CS2N60 如何用万用表测量它是好还是坏了！请问各大电子工程师帮我！！谢谢你！ 可以用测电阻法测量场e79fa5e98193e58685e5aeb931333431363533效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：1、首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。2、然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。扩展资料：场效应管与双极性晶体管的比较1、场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。2、场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合。
主板场效应管坏了该怎么替换 大小 相同，同型号代换，N沟道代N沟道，P沟道代沟道
请问场效应管在什么情况下会烧？ 问题解答一：管子损毁分两种情况，烧毁和击穿是两个概念，烧毁指的是管子在工作中过载从而导致PN结温度过高而损毁，击穿指的是管子在工作中加在管子上的电压超出管子实际允许的极限电压而导致PN结击穿损毁。场效应管按大类分有绝缘删型场效应管和结型场效应管，不管是哪一种场效应管子，控制极（G极）电压的改变结果都会使漏极（S极）和源极（D极）之间的内阻发生改变，（若这个电压太高：对于绝缘删型场效应管会导致管子GS结击穿损毁，对于结型场效应管则会导致管子GS间PN结过热烧毁），漏-源极间内阻的改变势必会导致管子通过电流的变化，要知道管子是否会烧毁首先要知道的是管子安全工作必须满足的几个条件，如下：1、管子工作时通过的最大电流不得超过手册里规定的极限电流值。2、管子工作时在极短的时间里通过的瞬间电流值不得超过手册里规定的极限浪涌电流值。3、管子工作时漏-源极间的电压乘以漏-源极间通过的电流，所得到的功率值为管子实际消耗的功率，这个数值必须小于手册里规定该管子的极限耗散功率值。这个很重要，参考时务必注意手册里极限值的测试条件，如散热片的尺寸等。4、管子工作时的实际工作频率必须远小于管子手册中给出的极限工作频率值，。
结型场效应和MOS管有什么区别，为什么不能互换 结型场效应管（JFET），是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，从而实现对漏电流大小的控制。而该耗尽区宽度的控制调整则是与栅电压有关的（与普通PN结反偏的情形类似），具体你可以参见JFET的介绍。与JFET不同，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的衬底上表面形成一层反型的积累层，该积累层即为沟道，电流通过沟道流过。因此，对于N型JFET，栅为P型，若直接在栅源之间施加正电压，器件直接就导通，就起不到电压对电流的控制作用，只能施加适当的方向电压。而对于N型MOS，由于衬底为P型，若想在衬底上方形成积累层，则需在栅源（或栅与衬底，通常衬底与源是短路的）之间施加正电压。因此，JFET与MOS管一般不能直接互换，而应对其电压参数作相应调整，才可保证其功能不变。
