IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
ir2110自举电容对全桥驱动有什么影响
用IR2101驱动芯片驱动三相逆变电路，直流侧220V，VB与VS之间的自举电容耐压值要怎么选择？aa自举电容器耐压要求并不高，取VCC电源的1.5-2倍即可。比如VCC是12V，取耐压25V。
关于IR2104自举电容的作用，小白求教 这个图我也看过，我想把中间的mos管换成IRF3205的，可不可以？我看了一些分析，说其中的2104的二极管和电容要构成自举电路，所以参数选择很重要，这个怎么算，有没有公式什么的？MC33883的效果怎么样？
