如何设计一个IGBT或者MOSFET驱动？有哪些步骤，需要注意哪些方面？ 之前没有自己设计过IGBT和MOSFET的驱动，但是拿到师兄们的驱动设计，在实际中总会遇到很多问题，比如电磁…
IR2153芯片工作原理是什么？ IR2153 是一种高压、高速、带有高低端驱 动的半桥驱动器.该器件前级可调振荡器的功 能与大家熟知的555 时基电路相似.驱动器的 输出带有缓冲单元，可设定内部死区时间，防止 桥路中的两只功率开关管直通.高、低端管子 具有延时匹配，适用于占空比为50%的场合，该器件可驱动N 沟道功率MOSFET 或IGBT.IR2153 具有以下特点：●带自举二极管的浮动设计，最大耐压为 600V；允许瞬时负压；欠压保护；内部振荡器频率可调整；高、低通道匹配的死区时间；起动电流很小，仅为90μA；高、低通道的关断功能；低通道输出电压波形与RT 端电压波形相同.
求高效逆变电源设计？？ 摘要：本文简述了PWM控制芯片SG和高压驱动器IR2110的性能和结构特点，同时详细介绍了采用以SG为核心器件的高频逆变电源设计。关键词：PWM；SG；IR2110；。
求IR2130驱动芯片特点及其在电机驱动中的应用？
igbt自举驱动是什么意思？可以不要驱动模块就能驱动？请大神指教下 我也是现学现卖的。驱动是省不了的，只是驱动设计可以简化。原理是在igbt的门极和射极之间引入自举电容和自举二极管，这个电容会在igbt关断期间预先充电，这样当驱动信号来临时，可以迅速打开igbt。自居电容和二极管要根据控制脉冲的宽度来设计。不能太大太小。
自举电路是如何“顶”电压的？ 当交流电是正半周时，电流通过二极管给电容充电，直到峰值，当峰值过后、电容上的电荷无法随电网释放掉，当负半周来临时，电容的被充上负电的极板上又被充上了正电，这样和另外极板上的的电压相加，（像两个电池串联，电流方向一致）就会有一个2倍于单波峰值的电压加在用电器上，
关于IPM的自举充电电路
如何分析一个npn管和一个pnp管的发射极连在一起的电路？ 题主说的这种一个NPN三极管和一个PNP三极管的发射极连在一起的电路叫推挽电路。电路结构推挽电路除了发射极接在一起外，基极一般也是接在一起，电路结构如下图：推挽电路的。
请电路高手帮忙分析下，下面电路的功能和工作原理.其中VSHELF为110V直流，SLF_CTRL和XSLF为驱动脉冲，控制门极的开关信号.Q52是电路输出，上图的VXSHELF接下图的VXSHELF.Q62和Q52是场效应管还是IGBT，如果是场效应管，SD间加了二极管有什么用？
