碳化硅和氮化镓号称第三代化合物半导体的双雄，由于其广阔的发展前景，受到广泛的关注，国内众多厂商亦在纷纷布局。
然而，SiC和GaN并不是唯二选项。最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了业界的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。而在该领域走在全球前列的日本，率先向氧化镓展露了野心。
据日本媒体最新报道，日本经济产业省（METI）正准备为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持，METI将为明年留出大约2030万美元的资金，预计未来5年的投资额将超过8560万美元。
研究表明，氧化镓的禁带宽度为4.9eV，超过碳化硅、氮化镓等材料，采用禁带更宽的材料可以制成系统更薄、更轻、功率更高的功率器件；击穿场强高于碳化硅和氮化硅，击穿场强是碳化硅的两倍。
虽然氧化镓并不是很新的技术，但在近十年才被应用于功率半导体方向，继而引发全球研发的热潮。它面临的主要问题在于导热率低、散热性能差，有分析认为，如若未来氧化镓的散热问题被攻克，氧化镓将是未来高功率、高压运用的功率半导体材料的有力竞争者。
美国在这方面也在发力。据外媒报道，今年4月，美国纽约州立大学布法罗分校（the University at Buffalo）正在研发一款基于氧化镓的晶体管，能够承受8000V以上的电压，而且只有一张纸那么薄，将用于制造更小、更高效的电子系统，用在电动汽车、机车和飞机上。
日本作为有力的竞争者，METI认为，日本公司将能够在本世纪20年代末开始为数据中心、家用电器和汽车供应基于氧化镓的半导体。一旦氧化镓取代目前广泛使用的硅材料，每年将减少1440万吨二氧化碳的排放。
一位专家也向媒体表示，“一旦氧化镓成功商业化，将适用于许多领域，因为它可以比其他材料更大幅度地降低半导体制造成本。”
而在中国，尽管起步较晚，但对于氧化镓的研究也同样在推进。
来源：爱集微
