自举升压电路的原理是这样的？ 自举升压电路的原理：举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。扩展资料：充电过程在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。放电过程：当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，。
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MOSFET 自举驱动 是什么意思 MOSFET的驱动电压是要在门极（栅极）和源极间有足够的电压，当一般的电路中，MOSFET的源极接在系统的地上，那么驱动电压只要是相对于系统地的电压就可以用来驱动MOSFET。但是在很多其他情况下，MOSFET的源极并没和系统地接在一起，这就意味着源极的电压可能是变化的。但是要驱动MOSFET，其栅极和源极间电压要求是一定的，因此这时MOSFET的驱动电压就需要和源极一起变化的电压。这个驱动电压就是MOSFET的自举驱动电压。现在这些功能一般都不用分立元件完成了，大部分都用集成电路了，比如IR210X系列的驱动芯片
用IR2101驱动芯片驱动三相逆变电路，直流侧220V，VB与VS之间的自举电容耐压值要怎么选择？ 自举电容器耐zd压要求并不高，取VCC电源的1.5-2倍即可。比如VCC是12V，取耐压内25V的电容器即可满足要求。建议使用容许工作温度为105摄氏度的电解（容10-22uF/25V），再并联一个100n/63V的贴片电容器。
IPM模块驱动电源可以通过哪几种方式获得，各有什么优点？自举电容取决于哪些因素？ IPM的几个地方需要供电，首先要看IPM需不需要隔离。如果采用隔离方式的话。还需要增加一个整形电路，这块电路一块采用专用芯片或高速74系列芯片。这个需要提供一个5V的供电。
