双极型晶体管小电流控制 双极型晶体管是用较小的的什么控制较大的什么

双极型晶体管是用较小的的什么控制较大的什么 双极型晶体管是用较小的基级电流控制较大的集电极电流，把这个称作晶体管的放大作用。简述双极型晶体管电流放大原理 简单的说：管子工作前题是BE结加正向电压BC结加反向电压，然后1.发射区向基区扩散电子，2.电子在基区边界扩散与复合，空穴由外电源补充，维持电流。3.电子被集电极收集。改变基极电流就可以改变集电极电流：IC=BIB什么是单极型晶体管和双极型晶体管？ 一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。二、双极型晶体管晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。扩展资料双极型晶体管与MOSFET的比较：1、驱动功率不同场效应管是压控器件，其栅源极输入阻抗极高，只需要在栅源极间建立电场，即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流，而不直接驱动IDS。因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化，用CMOS器件、TTL 器件等均可以组成栅极驱动电路，使整机功耗减小。2、二次击穿。什么是双极型器件 双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成，以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.扩展资料：双极型晶体管输出特性放大区的特点是：1、IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。2、特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。3、伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。4、在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC，IC=βIB5、放大区管子可等效为一个可变直流电阻。参考资料：-双极型晶体管双极晶体管的工作原理 NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。扩展资料双极型三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换场效应管的，原驱动MOS管的电路由于驱动电流太小，不e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333431366331。

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