cmos工艺栅氧厚度为什么要逐渐减薄 说栅氧化层非重要道工序同栅氧化层厚度极值处干涉(—)精确解(○)比较篇名：用干涉研究超薄栅MOS系统FN振荡电流说明：值.图7(a)，
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序同栅氧化层厚度下极小值处干涉方法(—)和精确解(○)的比较篇名：用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流说明：值.从图7(a)，
mosfet夹断理解误区到底怎么解释？ 关于mosfet源漏电压增大使得反型层夹断的原理解释在电科微电子器件一书的解释是源漏电压的增大使得Vds增…
为什么栅氧化层比较薄 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。
为什么PMOS的阈值电压比NMOS要大 阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料。
半导体物理专业翻译（中——>英） When the thickness of oxide layer comes to microns，because of the quantum tunneling effect，current forms in gate oxide，current flows from the gate and source out.
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。
什么是衬底偏置效应 以及 衬偏电压 ？ 麻烦给个通俗易懂的解释，不胜感激！衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不为零的时候，所产生的 一些效应的统称。。
