宽禁带半导体的带隙宽度比第一二代半导体的大说明什么？ SiC及GaN等第三代半导体的带隙宽度以及饱和电子迁移率比前两代半导体的大，为什么就能说明SiC及GaN更适合…
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
为什么直接带隙半导体的发射带为窄带
纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？？上下值各是多少？？ ZnS是一种直接带隙的半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种结构，禁带宽度为3.6～3.8eV，它具有良好的光电性能，广泛应用于各种光学和光电器件中，如薄膜电致发光显示器件、。
PbS直接带隙半导体还是间接带隙半导体？ 直接带隙，0.4eV
什么叫零带隙半导体？undefined-带隙，半导体 1 我有靠谱回答，我来抢答 什么叫零带隙半导体？军事自媒体 心内科医生 北京盛世君阅文化传播有限公司签约作者 优质。
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
什么叫零带隙半导体？ 这说的是石墨烯 半导体有导带，禁带，价带。所谓零带隙就指的是禁带宽度为零
