最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：why525018MOSFET特性参数EAS的解析一、EAS与EAR的定义EAS单脉冲雪崩击穿能量，EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。EAR重复雪崩能量，标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。二、如何通过测试波形判断是否发生雪崩上图（a）开关电源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止时约有300V的冲击电压加在漏极和源极之间，并出现振铃。上图（b）对时间轴进行了放大，由图可以清楚的看出由于栅极电压下降，管子截止，ID减小的同时VDS升高并在295V处VDS电压波形出现平顶（钳位）。这种电压被钳位的现象即是雪崩状态，所以当功率MOSFET发生雪崩时，漏源极电压幅值会被钳位至有效击穿电压的水平。图1所示为开关电源中典型的雪崩波形。源漏电压（CH3）被钳制在1kV，并能看到经整流的电流（CH4）。三、如何计算雪崩能量四、在什么的应用条件下要考虑雪崩能量对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用，就要。
MOSFET_MOS管特性参数的理解 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：tkhf1983功率MOS场效应晶体管技术讲座功率MOSFET特性参数的理解1.绝对最大额定值任何情况下都不允许超过的最大值绝对最大额定值(TA=25℃)额定电压额定电流额定功率额定温度额定雪崩项目DraintoSourceVoltageGatetoSourceVoltageDrainCurrent(DC)DrainCurrent(Pulse)TotalPowerDissipationChannelTemperatureStorageTemperatureSingleAvalancheCurrentSingleAvalancheEnergy略号VDSSVGSSD(DC)ID(pulse)I条件VGS=0VDS=0Tc=25℃PW≦10μs，Duty≦1%Tc=25℃定格900±30±6.0±12100150-55～+150単位VVAAW℃℃AmJPTTchTstgASIStartingTch=25℃6.042.3EASRG=25Ω，VGS=20V→01.1额定电压VDSS：漏极(D)与源极e799bee5baa6e78988e69d8331333433623765(S)之间所能施加的最大电压值。？$G栅极源极之间短路SVGSS：栅极(G)与源极(S)之间所能施加的最大电压值。漏极源极之间短路DGD-？6？'？3SGS1.2额定电流ID(DC)：漏极允许通过的最大直流电流值此值受到导通阻抗、封装和内部连线等的制约TC=25℃(假定封装紧贴无限大散热板)ID(Pulse)：漏极允许通过的最大脉冲电流值此值还受到脉冲宽度和占空比等的制约？$=？T？O？N？4＋：MOSFET的额定电流ton。
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？ 电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在。
根据MOSFET转移特性如果区分沟道和增强还是耗尽型？ 看电流-电压特性曲线中V-TN（门限电压），正的是增强型（即电压大于某一正值才导通），同理负的是耗尽型
MOSFET的基本特性包括哪几部分 MOSFET工作状态根据栅压大小分为导通和关断两种，在完全导通和关断之间还有亚阈值区。导通后，漏压较小时处于线性区，漏压增加至超过夹断电压后，进入饱和区。
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？ 电力MOSFET的输出特性分为：2113（52611）截止区（对应于4102GTR的截止区）1653；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。扩展资料MOSFET的核心是金属—氧化层—半导体电容。氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅，这样的结构正好等于一个电容器。氧化层扮演电容器中介电质的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层。MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的。
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？有的分为非饱和区、饱和区、截止区三区，有的又分为可调电阻区、饱和区、雪崩区三区，两种说法的输出特性曲线不一致，请问那种为最佳。
四种MOSFET型号及其功能特点 MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启。
电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 （1）漏极电流ID和栅源间电压漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。(2)MOSFET的漏极伏安。
