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形核功 接触角与界面能 半导体所用的高纯硅是如何提纯到 99.999999999% 的?

2020-10-05知识10

急!均匀形核和非均匀形核的异同?为何非均匀形核比较容易? 试比较均2113匀形核与非均匀形核的异同点。5261答:相同点1)形核4102的驱动力和阻力相同;2)临界晶核半1653径相等;3)形成临界晶核需要形核功;4)结构起伏和能量起伏是形核的基础;5)形核需要一个临界过冷度;6)形核率在达到极大值之前,随过冷度增大而增加。与均匀形核相比,非均匀形核的特点:1)非均匀形核与固体杂质接触,减少了表面自由能的增加;2)非均匀形核的晶核体积小,形核功小,形核所需结构起伏和能量起伏就小;形核容易,临界过冷度小;3)非均匀形核时晶核形状和体积由临界晶核半径和接触角共同决定;临界晶核半径相同时,接触角越小,晶核体积越小,形核越容易;4)非均匀形核的形核率随过冷度增大而增加,当超过极大值后下降一段然后终止;此外,非均匀形核的形核率还与固体杂质的结构和表面形貌有关。

为什么非均匀形核比均匀形核容易?(*^__^*) 新相晶核的形成需要克服形核阻力做工,即形核功。形核的阻力主要是来自于新生的晶胚表面。与均匀形核相比非均匀形核依附于外来表面,可减少单位体积的表面能,因而使临界。

两个问题,1,金属结晶的基本规律是什么?2,晶核的形核率和生长速率受哪些因素影响 ①金属结晶的基本规律是形核和核长大。②受到过冷度的影响,随着过冷度的增大,晶核的形成率和成长率都增大,但形成率的增长比成长率的增长快;同时外来难熔杂质以及振动和。

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