氧化银的制备方法 用浓的硝酸银溶液与不含碳酸盐的氢氧化钠溶液反应，马上析出黑色的氧化银沉淀（2AgNO3+2NaOH=Ag2O↓+H2O+2NaNO3），经洗涤、分离、干燥制得成品。使用硝酸银可以洗涤至NO3-含量0.02%，干燥时需要控制温度在100摄氏度以下并充分地均匀干燥，高于100摄氏度会缓慢分解，低于100摄氏度会有少量水分。市售的氧化银试剂中一般都含有微量的水分。
如何制取硝酸银？能否通过氧化银与硝酸反应制得？ 2楼你的原料Ag2O2是“过氧化银”…氧化银是Ag2OAg2O+2HNO3=2AgNO3+H2O可以这样制取，但是Ag2O从哪里得到？自然界中的Ag一般都是游离态或者配合物中的吧…制取AgNO3要看你用什么原料了
氧化铟的制备方法 制取三氧化二铟的方法很多：有高频吹氧法、硝酸盐分解法、氢氧化铟分解法、碳酸分解法等详细介绍：硝酸盐分解法1 试剂及仪器：金属铟(4N或 5N)，高纯硝酸，分析纯酒精，温度控制仪，白钢锅，烧怀，马弗炉。2 试验方法：将 4N(或 5N)金属铟于白钢锅中熔化，泼成薄片，再加工成小片，每袋装 1kg铟片备用。向处理好的 5L烧怀内加入 1kg铟片，先用离子交换水洗两次，然后加 2 5L离子交换水和少量高纯硝酸在电炉上加热熔解，每次加酸量使溶液不能溢出为止。将澄清的溶液在电炉上加热浓缩，出现白色结晶后倒入瓷碗中继续浓缩，烧干后将调压器调小微热。将瓷碗放入马弗炉中焙烧，先加热至 50 0℃，无黄烟后，关炉门恒温 1 5h，然后升温至 63 0℃，恒温 2h后降温。待三氧化二铟降至室温即得。
掺锡氧化铟的制备方法有哪些 中国稀有金属网：1、低电压溅射制备掺锡氧化铟薄膜由于掺锡氧化铟薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使掺锡氧化铟薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了掺锡氧化铟薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积掺锡氧化铟薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的掺锡氧化铟薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了掺锡氧化铟薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。2、两种在直流磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径：a、磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低掺锡氧化铟薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来。
氧化银如何用银单质制取 向银单质上加入(1mol/L以下、0.2mol/L以上)稀硝酸，生成硝酸银、一氧化氮和水；再向硝酸银溶液中加氢氧化钠等碱溶液，获得氢氧化银和硝酸盐溶液，常温下氢氧化银分解为氧化银和水，所以直接过滤就行了！
氢氧化银的制备方法 至少写三种 一般是 通过可溶碱制备，AgOH很不稳定，容易分解成褐色的Ag2OAgNO3+NH3*H2O=AgOH↓+NH4NO3AgNO3+NaOH=AgOH↓+NaNO3AgNO3+KOH=AgOH↓+KNO3
氢氧化铟的制备 可由金属铟与盐酸作用生成三氯化铟后用氨水处理后制得。金属铟用稀盐酸溶解，生成三氯化铟溶液。将此溶液加热到100℃，加入稍过量的氨使之生成沉淀，和母液一起再在100℃熟化6～7h。过滤后洗涤沉淀到没有C1-，在室温下干燥就可以得到氢氧化铟。酒石酸、柠檬酸等则会阻碍氢氧化物沉淀的形成。氢氧化铟里残留有NH4Cl时，煅烧成In2O3，则带来挥发损失。将InO和In2O和水或酸作用都会产生歧化反应：3In2O+3H2O=2In(OH)3+4In3InO+3H2O=2In(OH)3+In当温度高于700～800℃是则可还原成金属。三价铟的氢氧化物是两性的，氢氧化铟溶于酸生成铟盐，而与碱很难作用，只在浓的苛性钠（NaOH）溶液中才有少许溶解，生成铟酸钠(Na3InO)，而加热则重新产生In(OH)3沉淀。
