什么是直接禁带半导体 直接禁2113带半导体材料就是导带最5261小值（导带底）和价带最大值4102在k空间中同一位置。电1653子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量，动量保持不变。直接带隙半导体（Direct gap semiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）—发光效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因）。
PbS直接带隙半导体还是间接带隙半导体？ 直接带隙，0.4eV
直接半导体与间接半导体的区分 简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料 直接带隙半导体。
什么是直接禁带半导体间接禁带半导体 直接带隙半导体就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置，而间接带隙半导体的导带最小值和满带最大值在k空间中位于不同位置.
