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电子迁移率 0 锗与硅 做半导体材料 各自的优缺点

2020-10-04知识8

空穴是假想出来的,那为什么空穴和电子迁移率不同? 再说一次,空穴不是简单的电子运动等效,我们说的空穴导电和电子导电有物理意义上的区别。最简单的理解方…

电子迁移率和空穴迁移率哪个大? 电子的迁移率大。同样的条件下,电子的迁移率接近是空穴迁移率的3倍

si,ge,gaas,gan,sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少 ^禁带宽度2113:52611.12,0.66,1.42,3.44 6H-SiC:3,4H-SiC:3.25,3C-SiC:2.3(eV)电子迁移率4102:1350,3800,8000,2000,3000左右(cm^16532/(V·s))

锗与硅 做半导体材料 各自的优缺点

#运动#电子#半导体产业#电场强度#载流子

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