影响电子迁移率的因素有哪些？ 迁移率主2113要受材料内部的散射因素影响。其中包括5261声子散射、杂质4102散射、缺陷散射等。其中声子散射在高1653温时影响比较大。杂质散射随掺杂浓度增加而增加。迁移率和载流子浓度的乘积决定了半导体的导电特性，参杂增加载流子浓度增加，电导率增加，但是当参杂过多时将使迁移率减小，从而使电导率减小。因此利用重参杂的方法可以制备高阻半导体材料。
半导体中载流子数量与电导率的关系 图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p），一定体积的半导体中，电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率，与浓度无关.再补充一句，你理解的很对，但在半导体中不适用“数量”这个词，一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~
影响电子迁移率的因素有哪些？ 迁移率主要受材料内部的散射因素影响。其中包括声子散射、杂质散射、缺陷散射等。其中声子散射在高温时影响比较大。杂质散射随掺杂浓度增加而增加。迁移率和载流子浓度的。
