半导体物理中 热缺陷 形成的原理？ 热缺陷是由于晶体中的原2113子(或离子5261)的热运动而造成的缺陷，从几何图4102形上看是一种点缺陷，热缺1653陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。1)肖脱基缺陷由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。2）弗仑克尔缺陷弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。
摩擦生电维持的时间和哪些物理量有关？ 摩擦生电维持的时间和空气湿度有关，空气潮湿时水分子易电离，电荷易说失，空气越干燥绝缘度高维持时间越久。与空气温度和流动速度有关，温度高，空气流身速度大，物体所带电荷易于流失，摩擦生电维持的时间就短。
什么叫半导体？ 先纠正一下，半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。不管哪个，种类都挺多的，抽常见的说一下。半导体材料，最基本的有三种类型：本征半导体、P型半导体、N型半导体。本征半导体：材料完全纯净，不含杂质，晶格完整，因为内部的共价键被本征激发（部分价带中的电子越过禁带进入空带，形成能在外部电场下自由移动的电子和空穴）而导电。想要理解半导体的导电特性就必须要有这么一个电子-空穴对的概念，简单来讲，电子导电就是自由电子（带负电）的移动，空穴导电就是共价键中的电子移动到附近的空穴中，表现为空穴（带正电）在移动。N型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的磷等五价元素的杂质（施主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要多，在形成共价键之后还会多余出一个电子，这个电子的激发能量远比价态的电子要低，所以N型半导体材料导电以自由电子为主（还是存在少量空穴），这个过程中材料仍为电中性。P型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的硼等三价元素的杂质（受主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要少，在形成共价键之后还会多余出一个空穴，。
简要说明文温差电动势产生机理
静电的起电方式有哪几种 静电起电的四种方式：(1)接触-分离起电—两种物体接触，其间距离小于25×10-8 cm时，由于不同原子得失电子的能力不同，不同原子外层电子的能级不同，其间即发生电子的。
什么是电磁干扰，产生电磁干扰的主要原因 电磁干扰是电子电器行业及含有电子电器元件的设备所在行业都面临的一个重要研究课题。本文由板朗科技工程师就电磁干扰的类型、因素、特性做详细分析，欢迎大家阅读斧正。1.电磁干扰的定义(1)电磁骚扰（EMD）电磁骚扰是“任何可能引起装置、设备或系统性能降级或对有生命或无生命物质产生作用的电磁现象。电磁骚扰可能是电磁噪声、无用信号或传播媒介自身的变化”。(2)电磁干扰（EMI）电磁干扰是“电磁骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降”。电磁骚扰仅仅是电磁现象，即客观存在的一种物理现象，它可能引起设备性能的降级或损害，但不一定已经形成后果。而电磁干扰是由电磁骚扰引起的后果。过去在术语上并未将物理现象与其造成的后果明确划分，统称为干扰。但是为了方便，通常人们在分析电磁干扰问题时常常是与电磁骚扰联系在一起讨论，或统称为电磁干扰。2.电磁干扰（骚扰）源的分类电磁干扰的分类可以有许多种分法，例如，按传播途径分，有传导干扰和辐射干扰，其中传导干扰的传输性质有电耦合、磁耦合及电磁耦合；按辐射干扰的传输性质分，有近区场感应耦合和远区场辐射耦合；按频带分，有窄带干扰和宽带干扰；按干扰频率范围分，可细分为5种；按实施。
电动车充电器插头烧溶，是插座的问题还是电动车或电动车充电器的问题？ 电动车充电器插头烧毁是插座接触问题。1、插座质量差（耐高温，狙燃，铜片厚度，弹性，结合度）这个可能是最主要原因2、导线细，超负荷运行。3、导线和插座接触松动，接触。
半导体的全部类型有哪些？ 比如说三极管，二极管，还有什么？谢谢 ？ 1 条评论 4 知乎用户 19 人赞同了该回答 先纠正一下，半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗。
