用铜的微观结构解释，为什么铜比铁的电阻小 根据Drude Theroy of Metals(约1900)，金属的电导率与自由电子浓度和电子的迁移率成正比。在常温，较小电场情况下，真正起载流子作用的电子只包括费米能级附近的电子，因为。
半导体中载流子数量与电导率的关系 图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p），一定体积的半导体中，电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率，与浓度无关.再补充一句，你理解的很对，但在半导体中不适用“数量”这个词，一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~
霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的。
什么是LED的结温？结温升高会对LED造成什么影响？ 因发热量大，导致其工作温度偏高，性能急剧下降。只有深入了解LED的温度特性，开发低热阻的LED芯片及LED应用产品，才能真正体现LED的优越性。构是一个半导体的P-N结。。
为什么合金的导电性比成分金属要弱？ 导电性决定于材料的性质，合金中相的相对数量、各相的晶粒大小，形状和分布发生很大变化，对合金的导电性产生了影响。合金的导电性和导热性低于任一组分金属。利用合金的这一特性，可以制造高电阻和高热阻材料。还可制造有特殊性能的材料；多数合金熔点低于其组分中任一种组成金属的熔点；硬度一般比其组分中任一金属的硬度大。扩展资料金属具有良好的导电性，其电导率在10s/cm以上。金属中的电流密度J可写成电子电荷e、电子的平均漂移速度尌和电子浓度n的乘积，即可定义电子平均速度与电场强度E的比值为电子迁移率。这样一来，电导率σ可表为σ=neμ。在欧姆定律成立的条件下，迁移率μ与电场强度无关，决定于材料的性质。参考资料来源：-导电性参考资料来源：-合金
霍尔效应实验的感悟 一、实验名称：霍尔效应原理及其应用 二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压 与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流 间的关系；。
