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如何判断化合物是n型半导体还是p型半导体导电?? 氧化锌pn型

2020-10-04知识45

如何判断化合物是n型半导体还是p型半导体导电?? N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。多数载流子:N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数。

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镁锌氨材的用途??? 氧化镁氧化镁(化学式:MgO)是镁的氧化物,一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧化镁以方镁石形式存在于自然界中,是冶镁的原料。活性氧化镁白色或淡黄色粉末,无臭。

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氧化锌与氧化铜会不会反应 锌和氧化铜在初中范围内不会反应。那道题具体是怎么说的?补充:要用zn,h2so4,cuo置换出铜,有两种方法:第一种方法:将cuo溶于h2so4中,生成cuso4溶液;再用zn置换出cuso4。

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谁能告诉我最近氧化锌的生产新工艺是什么? 间接法间接法的原材料是经过冶炼得到的金属锌锭或锌渣。锌在石墨坩埚内于1000°C的高温下转换为锌蒸汽,随后被鼓入的空气氧化生成氧化锌,并在冷却管后收集得氧化锌颗粒。。

请问电力系统规程上说的“PT二次侧只有一点可靠接地”怎么理解 PT二次一般都在控制室一点2113接地 这个一5261点 并不是都接在一起的一点 变电站各个接地点4102间的电阻很小的 只要引到控1653制室了 再分别接到地排上就可以了 比如二次绕组有几组就有几个N600 都引到控制室 一般都先到一块屏(公用屏)N连一起接地就可以了二次侧的接地方式通常有中性点接地和V相接地两种 你的图貌似是V接地采用V相接地时,中性点不能再直接接地。为了避免一、二次绕组间绝缘击穿后,一次侧高压窜入二次侧,故在二次侧中性点通过一个保护间隙接地。当高压窜入二次侧时,间隙击穿接地,v相绕组被短接,该相熔断器会熔断,起到保护作用。我也只是说一般~又没说一定.最少我见的都在控制室接地PT二次为什么要在主控室一点接地,而不适宜在就地一点接地如果一段母线有几个PT的话 几个PT端子箱都不在同一个地点 就地接地的话 各点之间可能产生电势差母差保护、各种双断路器主接线的保护等,CT二次侧应在保护屏上经端子排接地 过流 计量 测量可以就地接地吧 差动必须在控制室一点接地 原理跟上面差不多 各CT的差动绕组的零必须一点 否则可能产生差流以上个人看法 我参加工作也才2年 继电保护比较难学 而且我学的也不是这个专业 所以不对的别怪我。.

p型和n型半导体材料分别是哪些呀?求助,急用, p型半导体和n型半导体与材料本身关系不大,而是与材料的掺杂有密切的关系,比如硅,掺杂硼离子就是p型号的,掺杂磷离子就是n型的。还有的半导体是化合物半导体,比如砷化镓,氧化锌。还要提到的就是石墨烯和碳纳米管的半导体性质和材料的制备有很大关系,既可以是半导体业可以使金属。选择的依据就是里面的少子,少子是电子就是n型的,空穴就是p型的

压敏二极管的用途?雪崩击穿用在什么地方? 汽车电子、防雷模块及相关设备 家用电器开关电源、充电器 电子数码电源、家居安防 数据基站防雷 机顶盒等等 参考生产厂商可以问到更多资料:www.yint.com.cn它们的通过ul、。

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