氮化镓概念中的下一个风口是什么概念，你怎么看？ 氮化镓技术发展多年也从未走进大众人民的视野，而却被OPPO和小米的一颗小小的电源适配器拉入到了关注手机及科技领域的爱好者的面前！至此，只要知道氮化镓技术的人们，或许都不知道它具体能做什么，但是可以确定的是，这个技术是真的牛！那么，究竟什么是氮化镓？而氮化镓技术又能为我们带来什么呢？什么是氮化镓？氮化镓（GaN）是第三代半导体材料之一，以氮化镓和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，其具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、热导率大、击穿电场高、抗辐射能力强等各种优异性能！而氮化镓已然成为了人们最喜欢最感兴趣的半导体材料之一！信息产业是近些年来发展最为高速的产业之一，而半导体技术在信息产业中有着举足轻重的地位！氮化镓结构式（图源网络，侵删）氮化镓已有的应用我想氮化镓真正走进了科技爱好者及大众人民的眼中很大程度上是因为OPPO和小米的65W氮化镓电源适配器！其采用了氮化镓材料作为电源适配器的功率芯片，实现了充电更高效，充电温度控制更良好，在超小的体积上实现了更大功率的输出！要知道，之前传统的65W电源适配器的体积是氮化镓电源适配器体积的两倍有余！其次，氮化镓在很多大家不熟知的领域应用也较为广泛！氮化镓材料可。
在第三代氮化镓芯片时代，中国可以后来者居上吗？ 最近随着5G的普及，第三代半导体的应用也越来越被行业和大众所关注，在5G芯片上也被大量应用，那究竟什么是第三代半导体氮化镓呢？它有什么过人之处？在新一代半导体的应用研发上我们能否做到后来居上，打破关键技术被外国“卡脖子”的命运呢？什么是第三代半导体氮化镓？说到第三代半导体，我们就应该回顾一下半导体的发展历史。第一代半导体最早是锗，后来应用最广泛的是硅，它们的特点是原料易得，所以被大规模使用，包括我们现在许多芯片都是近乎纯净的硅制备成硅单晶后在经过各种加工做成的。第二代半导体是复合物，包括我们最常用的砷化镓等化合物，在早期的时候，它在功放等功能上具有明显的优势。但是由于砷元素有剧毒，比如砒霜中就含有砷元素，所以后来砷化镓就逐渐被禁用了。再到后来，性能更加优越的的第三代半导体材料出现了。第三代半导体和第二代半导体一样都是复合物，研究最为广泛的当属氮化镓和碳化硅，以及氮化铝等。在应用方面，碳化硅在高电压、大功率等领域有着独特的优势，而氮化镓的转换频率可以做到很高，所以经常被应用于高频功放器件领域；氮化铝则因为其特色的性能，在民用上面涉及得比较少。功率半导体是电动车的核心，LED是显示设备的核心，。
三安光电的氮化镓、砷化镓产业能否成功？ 三安光电大举进军氮化镓、砷化镓产业，并得到了半导体产业基金的大笔投资，能否成功？这个行业规模有多大？
有没有对石家庄的中电13所了解的？里面光电器件部门的待遇和前景怎么样啊？ 一、待遇福利、待遇要看什么岗位，哪个部门；待遇在中电还是不错的，不过国企的普遍特点，工资不高，福利还可以，如果是科研项目，奖金也是很丰厚的。二、前景1、十三所为。
在第三代氮化镓芯片时代，中国可以后来者居上吗？ 说到氮化镓可能很多朋友都不怎么熟悉，不了解的人还以为这是一种全新的半导体材料。实际上氮化镓这种材料很早就诞生了，而且一直有应用，只不过最近一段时间被小米带火了。2月13日，小米年度旗舰手机小米10正式发布，其中有一款手机搭载Type-C 65W氮化镓充电器脱颖而出。雷军在发布会上介绍，氮化镓是一种新型半导体材料，做出的充电器体积特别小，充电效率却特别高，像小米氮化镓65W充电器，比标配的65W充电器体积要小一半，而要把Mi 10 PRO充满电只需要45分钟。从雷军的介绍可以看出看出氮化镓是非常厉害的，但至于雷军所说的氮化镓是一种新型半导体材料，这个就有点扯淡了，实际上氮化镓并不是一个新鲜事物，它在国外已经推了十几年，国内也早有研究，早在1990年氮化镓就应用在在发光二极管中，1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓。只不过一直以来氮化镓应用领域并不是很广，大多都是应用在军工等高精尖领域，最近几年随着大家对氮化镓研究的不断深入，氮化镓的应用越来越广，而且最近几年开始成为第3代芯片材料。与传统的硅芯片材料相比，氮化镓优势是非常明显的，传统的硅芯片材料本身就有一些缺陷，比如当温度超过200摄氏度后，硅基设备开始出故障，而相对来说。
氮化镓是金属材料吗？ 氮化镓（GAN)是什么？氮化镓（GAN）是第三代半导体材料的典型代表，在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。氮化镓是一种人造材料，自然形成氮化镓的条件极为苛刻，需要2000多度的高温和近万个大气压的条件才能用金属镓和氮气合成为氮化镓，在自然界是不可能实现的。大家都知道，第一代半导体材料是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体是以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；第三代半导体则就是以氮化镓为代表，它在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传 输方面的效率更高，所以可以被广泛应用到照明、显示、通讯等各大领域。1998年，美国科学家研制出了首个氮化镓晶体管。氮化镓（GAN)的性能特点高性能：主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、高效率、体积小、重量轻等。目前第一代和第二代半导体材料在输出功率方面已经达到了极限，而GaN半导体由于在热稳定性能方面的优势，很容易就实现高工作脉宽和高工作比，将天线单 元级的发射功率提高10倍。高可靠性：功率器件的寿命与其温度密切相关，温结越高，寿命越低。GaN材料具有高温结和高热传导率等特性，极大的提高了器件在不同温度下的适应性。
中国的芯片技术现在达到了什么水平？ 硅器件领域还是有些落后，目前芯片水平达到了28nm，已经开始卖钱了，不是实验室水平，12寸晶圆已经批产，光刻机量产的是90nm，2020年批产45nm，其他真空设备应该都已经国产了。在砷化镓和氮化镓器件领域还是挺NB的，核心设备MOCVD（GaN）已经实现国产，GaAs很快就会国产，到时搞死Vico和爱斯强也就分分钟的事，也就是中国在微波，射频，通讯，激光，开关功率器件等领域将不再受制国外，甚至能够实现反制。目前主流半导体器件还是45nm，芯片已经能造而且开始卖钱了，不过核心设备还要等2年（龙芯用的65nm工艺估计很快会实现国产，但遗憾的是这个不是民用的），手机cpu和存储的制成确实最高端，不过在集成电路领域不算最主流，在整个体量中占10%吧，但是利润率估计挺高。其他制成比如百nm的芯片很多，比如照相机的cmos佳能还用500nm制成，索尼也只是到180nm，但也不影响其优秀的成像质量。所以楼主的问题不能看最高端的是什么，而是应该看最卖钱的领域中国是什么水平，不黑不吹才最正确。至于中国半导体行业发展，目前赶上了一个黄金时期，一是国内市场集中爆发，人工智能、云计算、通讯、手机需求持续旺盛，而且国内还是世界上的主要市场，有钱赚自然很多资本愿意进入，很多。
