半导体中载流子数量与电导率的关系 图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p），一定体积的半导体中，电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率，与浓度无关.再补充一句，你理解的很对，但在半导体中不适用“数量”这个词，一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~
霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的。
银能导电吗？ 都导电。在所有金属中，银的导电性是最好的。在常温下银的电阻率仅为（25度）1.61。而金的导电性仅次于银和铜，为银的导电率76.7%，位居第三。金的电阻率为（25度）2.42。固体的导电是指固体中的电子或离子在电场作用下的远程迁移，通常以一种类型的电荷载体为主，如：电子导体，以电子载流子为主体的导电；离子导电，以离子载流子为主体的导电；混合型导体，其载流子电子和离子兼而有之。除此以外，有些电现象并不是由于载流子迁移所引起的，而是电场作用下诱发固体极化所引起的，例如介电现象和介电材料等。
半导体散射机构如何影响载流子迁移率进而影响半导体导电性。 主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于hole。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而hole的迁移率仅为480cm^2/(VS)。
在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间，即外电场下自由加速的时间
氮化镓本身的迁移率并不高，为什么把他叫做高电子迁移率晶体管（HEMT）呢？ 如果我们学过半导体器件物理的话，那么就知道，表征MOS器件性能有一个图，叫Inversion Q versus carrier…
半导体散射机构如何影响载流子迁移率进而影响半导体导电性 迁移率是指载流子（电子和hole）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于hole。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而hole的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于hole的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用hole作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。
石墨烯是半导体那为什么导电性强？ [1]https：// nirajchawake.wordpress.com /2014/10/20/semiconductors-why-%E2%88%86e%E2%89%A43-2-ev/ [2]P A D Gon？alves and N M R Peres，An introduction to Graphene 。
半导体的迁移率比金属高，为什么金属导电性更好 半导体的迁移率比金属高，但内部会感应出反向电荷，出现电位移，形成逆向场。而金属导体内部场强处处相等，宏观上电流比半导体强，所以金属导电性更好。迁移率代表电子定向运动的速度，而不是电流强度。
为什么合金的导电性一般低于单一金属？
