为什么在非均匀掺杂的半导体中必然存在电场 非均匀半导体必然存在浓度梯度，那么就必须要做扩散运动。在扩散的过程中，由于两端电子和空穴浓度不同，必有一端电子浓度大，一端空穴浓度大，由库伦力力形成内建电电场，阻碍扩散运动，并最终达到平衡。
电导率的变化与什么有关 电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的增高而降低。半导体的电导率随着温度的增高而增高。电导率与固态半导体也具有很大相关性，固态半导体的掺杂程度会造成。
PN结与PIN结的区别 pn结和pin结是两种最基本的器件结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容；（2）都具有单向导电性和相应的整流作用，则都可用作为二极管；（3）在高的反向电压下，都有可能发生绝缘击穿的现象，因此都存在有最高工作电压的限制；（4）都具有感光作用，可以作为光电二极管和光电池等光电子器件。l 不同点：（1）空间电荷区：pn结的空间电荷区就是界面附近的区域，其中存在较强的内建电场，使得载流子往往被驱赶出去了，故一般可近似为耗尽层。pin结的空间电荷区是在i型层（本征层）两边的界面附近处，则有两个空间电荷区（即p-i和n-i两个界面的空间电荷区），一个空间电荷区包含有正电荷，另一个空间电荷区包含有负电荷，这些空间电荷所产生的电场—内建电场的电力线就穿过i型层。（2）势垒区：pn结中阻挡载流子运动的区域，即存在内建电场的区域就是势垒区；pn结的势垒区也就是空间电荷区，即空间电荷区与势垒区是一致的。但是pin结中存在内建电场的区域是整个i型层加上两边的空间电荷区，因此势垒区很宽（主要就是i型层的厚度），这时势垒区与。
半导体是什么？做什么用的？ 自然界的物质按导电能力可分为导体、绝缘体和半导体三类。半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。1906年制成了碳化硅检波器。1947年发明晶体管以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、。
在半导体PN结中，因扩散运动形成内建电场，这个电场方向是从N到P， 1.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的，这就是内建电场的形成原理.2.N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合，载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区.P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场，这就是P-N结的两边产生内建电场.这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡.希望能对您有所帮助.
高压线上的半导体层起什么作用 高压线说明：根据GB/T 2900.50-2008，定义2.1中规定，高压通常不含1000V。高压线通常指输送10KV（含10KV）以上电压的输电线路。半导体说明：半导体是指一种导电性可受控制。
铁电材料 内建电场的概念？最好说一下内建电场形成过程，及其与退极化场的区别联系'''
电击穿与热击穿有何区别 一、电击穿。固体介质在强电场的作用下，内部少量可自由移动的载流子剧烈运动，与晶格上的原子发生碰撞使之游离，并迅速扩展而导致击穿。特点是：电压作用时间短，击穿电压。
