我想要点二氧化硅原料，能从我们身边的自然界里找点吗 （1）SiO2广泛存在自然界中，其用途也非常广泛，可用于制造光导纤维，也用于生产半导体材料硅，碳能与二氧化硅反应生成硅单质，化学反应方程式：SiO2+2C═Si+2CO↑，二氧化硅能与氢氟酸反应生成四氟化硅气体，用于刻画玻璃，化学反应方程式：SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O，（1）光导纤维；SiO2+2C═Si+2CO↑；SiO2+4HF 高温.SiF4↑+2H2O；刻蚀玻璃．（2）检验溶液中Fe3+存在通常用KSCN溶液，取少量溶液与试管中，滴加KSCN溶液，溶液呈血红色，说明Fe3+存在；铜与氯化铁反应生成氯化铜、氯化亚铁，反应的离子方程式为：2Fe3+Cu=Cu2+2Fe2+故答案为：KSCN溶液；溶液呈血红色；2Fe3+Cu=Cu2+2Fe2+．
纯氧是什么 纯氧分子式：O2 性质：纯度≥99.995％。尘埃(φ≥0.5μm)≤3.5粒/L，杂质含量N2≤10 cm3/m3，Ar≤5cm3/m3，H2O≤lcm3/m3，CO2≤0.5cm3/m3。。
光刻 \\湿刻＼干法刻蚀有何不同 呵呵，我以前在半导体做2113了两年啊！懂一点5261点吧！以前我在的是蚀刻4102区！半导体1653制蚀刻(Etching)(三)蚀刻(Etching)蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。1、湿蚀刻最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etching rate)的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行蚀刻时。
氟是怎样发现的？ 【氟的发现】氟在地壳的存量为0.072%，克拉克值0.0625，存在量的排序数为12，自然界中氟主要以萤石(Fluorite)存在，其主要成分为氟化钙(CaF2)、冰晶石(3NaF.AlF3)及以氟磷酸钙。
全氟烷烃是干什么用的
纯氧是什么 高纯氧 2113high purity oxygen 分子式：O2 性质：纯度≥526199.995%。尘埃(φ≥0.5μm)≤41023.5粒/L，1653杂质含量N2≤10 cm3/m3，Ar≤5cm3/m3，H2O≤lcm3/m3，CO2≤0.5cm3/m3。无色无臭无味气体。氧不可燃，但助燃。相对密度ds(21.1℃，空气=1)1.105。气体密度1.326kg/m3(21.1℃，101.3kPa)；液体密度1141kg/m3(-182.96℃)。沸点-182.96℃。熔点-218.78℃。大部分商品氧都是由空气分离制造的。即将空气液化后经精馏提纯。也可采用低温全精馏法。少量氧采用电解氧为原料，经催化脱氢可制取纯度为99.99%以上的高纯氧。其他纯化方法有变压吸附法和膜分离法。高纯氧用于二氧化硅的化学气相沉积；作为氧化源与产生高纯水的反应剂；干法氧化；与四氟化碳混合，用于等离子刻蚀。氧的主要用途源于它能维持生命和助燃性质；在冶金工业中有广泛应用。还可用于水质处理。
