晶体管主要性能参数 晶体管有哪些主要

怎样正确查询晶体管参数 这题目太大。如果详细地讲，就我这水平还讲不了。只能简单地说说，当聊天吧。一般有三种情形想起来要查询参数，一是在维修设备时发现有管子坏了，又买不到同型号的，不得已找代用品。二是自己要设计一个电路，或者修改一个电路，其中用到晶体管，这时候你会在多如牛毛的型号里选择自己需要的。当然如果你有多年经验，找起来就简单一些。三是主观上有找寻新器件的想法，这时你会专注于参数高的，性能特殊的，以及满足你个性要求的。按道理说，要查询晶体管参数，必须尽可能地掌握和理解晶体管的所有参数的名称，定义，意义，单位等等，乃至测试参数的方法。但是在一般情况下，尤其是业余情形下，我的体会是做不到，譬如晶体管的一些交流参数，高频参数，测试起来就不容易。解决的办法是掌握你实现目标需要的主要参数，如BJT的耐压，允许电流，功耗，Hfe，fT，还有极间电容，相关时延，典型应用下的电压或功率增益，还有典型的特性曲线是否符合要求等等。掌握得越多越深入，你的参数查询工作就会做得正确或者基本正确。目前晶体管参数的PDF文件大多数是E文的，所以能够掌握专业E语也是正确查询的重要条件之一。我是E语文盲，很吃亏哟！就说这些吧，如果有误，欢迎拍砖！请问表征晶体管的三个参数是什么？ 1、直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的 集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三 极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是 毫微安级。（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压 Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳 定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。（3）发射极-基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它 实际上是发射结的反向饱和电流。（4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极 输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib2、交流参数（1）交流电流放大系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化 量△Ib之比，即：β=△Ic/△Ib 一般。晶体管有哪些主要 晶体管有这些主要参数：①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参数，由集电极电流变化量与基极电流 变化量的比值来表示，即P=A4/A/b，3值在20~100之间。。晶体管的结构及性能特点有哪些 1．晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN。晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。谁可以告诉我，电子管与晶体管的参数比较呀？谢谢赐教！ 如果参数方面来说还真不好说，因为是两种不同原理的器件，除了输出功率以外参数所表达的意义根本不同。从性能来说，电子管子的负载能力强，线性性能优于晶体管，特别高频大。电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些？ 基本特性：zhidao(1)静态特性；(2)动态特性主要参数是：(1)最高工作电压(2)集电极最大允许电流ICM(3)集电极最大允许耗散功率PCM(4)最高工作结温TJM二次击穿和安全工作区电力晶体专管按英文Giant Transistor—GTR，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其，但属驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

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