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利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 背散射电子原子序数衬度形成的原理

2020-10-01知识8

原子序数衬度原理及其应用 最低0.27元开通文库会员,查看完整内容>;原发布者:244772579原子序2113数衬度原理及其应用?背散射电子衬度原理及其应用5261?吸收电子的成像1背散射电4102子衬度原理及其应用?背散射电子的信号既可以用来进行形貌分析,也可用于成分分析。在进行晶体结构分析时,背散射电子信号的强弱是造成通道花样衬度的原因。以下介绍背散射电子信号引起的形貌衬度和成分衬度的原理。2背散射电子形貌衬度特点?用背1653散射电子信号进行形貌分析时,其分辨率要比二次电子低,因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的,成像单元变大是分辨率降低的原因。背散射电子的能量很高,它们以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此在图像上显示出很强的衬度,以至失去细节的层次,不利于分析。用二次电子信号作形貌分析时,可以在检测器收集栅上加一正电压(一般为250-500V),来吸引能量较低的二次电子,使它们以弧形路线进入检测器,这样在样品表面某些背向检测器或凹坑等部位上逸出的二次电子也能对成像有所贡献,图像层次增加,细节清楚。3背散射电子和二次电子的运动路线4凹坑样品的扫描电镜照片?凹坑底部。

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 背散射电子原子序数衬度形成的原理

扫描电镜(SEM)中表面形貌衬度和原子序数衬度各有什么特点 二次电子信号来自于样品表面层5~l0nm,电子与样品原子的核外电子作用,一部分能量转移到原子,导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度有关,可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞,电子方向发生改变,但无能量损失,这样的电子叫背散射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关,可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 背散射电子原子序数衬度形成的原理

二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像:1)凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大。2)平面上的二次电子产额较小,亮度较低。3)在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度专也较暗。背散射电子像:1)用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低。2)背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析。因此,背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子,故一般不用背散射电子信号。

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 背散射电子原子序数衬度形成的原理

电子束入射固体样品表面会激发哪些信号?它们有哪些特点和用途 电子束与固体样品作用时产生的信号。它包括:背散射电子、二次电子、吸收电子、透射电子、特征x射线、俄歇电子。除了以上六种信号外,固体样品中还会产生例如阴极荧光、。

电子被激发后形成哪些电子?像俄歇电子,散射电子,背散射电子这一类的电子,怎么区分?①背散射电子。背散射电于是指被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子。。

SEM背散射电子下,原子系数越大是越亮还是越暗,二次电子下是不是相反的。

在什么情况下背散射电子像可以用来分析试样的元素分布?原理是什么? 这个问题比较奇怪,背散射是一种分析手段,主要显示的是原子序数的衬度像,我们这儿一般用来分析固体样品当中某种元素的分布情况,最大的好处是结合能谱仪一下子就可以直观的看出元素的分布情况,背散射一般就是场发射电子扫描显微镜的一个附件

二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 二次电子2113和背散射电子成像的区别都有哪些特点及5261应用:二次电子4102像具有分辨率高、景深大;立体感强的特1653点,F≈d0/β主要用于反映样品表面形貌。背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点,主要用于反映原子序数衬度。

二次电子像背散射电子像和吸收电子像的特点和用途 特点及应用:二次电子像具有分辨率高、景深大;立体感强的特点,F≈d0/β主要用于反映样品表面形貌。背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点,主要用于反映原子序数衬度。

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