igbt的工作原理
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的.对吗？ 不对。放大状态2113时发射结正偏，集电结反偏，发5261射极促进多子运4102动，集电极促进的是1653少子的运动，集电极的这些少子来自发射极的多子，所以浓度远远大于集电极本身的多子，所以叫非平衡少子，由于集电结反偏，促进这些非平衡少子运动，产生了集电极的主要电流。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。扩展资料严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base)和集电极（Collector）。场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate，门极）和漏极（Drain）。晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极。
什么是IGBT？它的作用是什么？ IGBT是英文单2113词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体5261管。从功能上来4102说，IGBT就是1653一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的。
PN结在无光照 无外加电压时 结电流是否为零啊 PN结在没有光照，没有加热，没有外部电压时，PN结没有电流，且等于零。在PN节刚形成的时候，有少量载流子通过，这种在PN节内电场作用下少数载流子有规律的运动称为漂移运动。。
什么叫半导体？ 先纠正一下，半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。不管哪个，种类都挺多的，抽常见的说一下。半导体材料，最基本的有三种类型：本征半导体、P型半导体、N型半导体。本征半导体：材料完全纯净，不含杂质，晶格完整，因为内部的共价键被本征激发（部分价带中的电子越过禁带进入空带，形成能在外部电场下自由移动的电子和空穴）而导电。想要理解半导体的导电特性就必须要有这么一个电子-空穴对的概念，简单来讲，电子导电就是自由电子（带负电）的移动，空穴导电就是共价键中的电子移动到附近的空穴中，表现为空穴（带正电）在移动。N型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的磷等五价元素的杂质（施主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要多，在形成共价键之后还会多余出一个电子，这个电子的激发能量远比价态的电子要低，所以N型半导体材料导电以自由电子为主（还是存在少量空穴），这个过程中材料仍为电中性。P型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的硼等三价元素的杂质（受主杂质），由于原子最外层电子数比硅等材料要少，在形成共价键之后还会多余出一个空穴，。
三极管，MOSFET， IGBT的区别？ http：// weixin.qq.com/r/Uy-L03P ExS66rTew93pB(二维码自动识别) ？ 99 ？ ？ 5 条评论 ？ ？ ？ 喜欢 ？ 继续浏览内容 知乎 发现更大的世界 打开 。
