什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间 绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流；U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压。绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图。所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率；UcE(sat)为集一射极间的饱和压降；IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流；Rth为结壳间的最大热阻；T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。
什么是IGBT？它的作用是什么？ IGBT是英文单2113词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体5261管。从功能上来4102说，IGBT就是1653一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。A、高 B、相同 C、低 D、不一定
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间 绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响。
绝缘栅双极晶体管有哪些特点？ 绝缘栅双极晶体管又简称为IGBT，它的特点就是把MOS栅极控制的优点和双极型晶体管的大电流长处综合起来了。。详见“http：//blog.163.com/xmx028@126/”中有关IGBT的说明。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途？ IGBT是全控型功率半导体器件，它是由MOSFET场效应管与GTR大功率达林顿晶体管结合，并有前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速，开关电源等电子领域，就全控性能而言，IGBT是最适合斩波应用的器件，而且技术极为简单，几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。IGBT也是多元集成结构，它是由一个MOSFET和一个PNP晶体管构成，给栅极施加正偏信号后，MOSFET导通，从而给PNP晶体管提供了基极电流使其导通，给栅极施加反偏信号后，MOSFET关断，使PNP晶体管基极电流为零而截止。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约为3~4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和电力晶体管接近，饱和压降随栅极电压的增加而增加。
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间
