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单结晶体管自激振荡电路根据什么特性 单结晶体管张弛振荡电路

2020-09-30知识20

单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管什么区来的工作特性设计的? 负阻区和饱和区

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自制微型交流电焊机的方法 业余电子制作和维修过程中,难免遇到焊接电池极片或薄钢板,而要确保顺利完成这一任务就离不开电焊机。电焊机通常可分为直流电焊机和交流电焊机两种,这里介绍的是交流电焊机,。

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单结晶体管构成弛张振荡器如何计算频率 假设电容的充放电都是符合指数规律的。充电时单结晶体管截止,电容不放电,可计算出电容电压到达单结晶体管峰值电压所需要的时间;电容放电速度快,可以只考虑RC放电回路的放电时间,电容电压到达单结晶体管的谷底电压时放电结束。两个时间相加就是一个周期。

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单结晶体管如何组成可控硅触发电路呢?回答:在可控硅没有导通时,张弛振荡器的电容器C被电源充电,UC按指数规律上升到峰点电压UP时,单结晶体管VT导通,在VS导通期间,负载。

单结晶体管触发电路震荡频率与电路中电容C1的数值有什么关系 电容在晶体管振荡电路中是重要的起振元件,利用它的充放电特性,在充电和放电间会产生断续的电压来触发晶体管,晶体管便断续地接通和关断。从而完成振荡,振荡的频率{次数},由电容的充放电时间决定,充放电时间由电容的容量决定,容量越大充电时间越长,时间越长振荡的次数{频率]越少。因此可见电路的振荡频率与电路中的电容{c1}的容量{数值}呈反比关系,即电容容量越大,振荡频率越低。正弦波振荡器在量测、自动控制、无线电通讯及遥控等许多领域有着广泛的应用。例如调整放大器时,我们用一个\"正弦波信号发生器\"和生一个频率和振幅均可以调整的正弦信号,作为放大器的输入电压,以便观察放大器输出电压的波形有没有失真,并且量测放大器的电压放大倍数和频率特性。扩展资料:触发信号应有足够的触发电压和触发电流。触发电压和触发电流应能使合格元件都能可靠地触发。由于同一型号的晶闸管其触发电压、触发电流并不一样。同一元件在不同的温度下的触发电压与电流也不一样,为了保证每个晶闸管都能可靠触发,所设计的触发电路产生的触发电压和电流都应该较大。一般要求触发电压在2V以上、10V以下。单结晶体管触发电路与晶闸管主电路直接连接时,不安全,易造成误。

怎样利用单结晶体管组成可控硅触发电路呢?.请生意经解答 我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后,电源UBB经电位器RP向电容器C充电,电容器上的电压UC按指数规律上升。。

单结晶体管自激振荡电路根据什么特性 单结晶体管自激振荡电路根据单结晶体管有一个负阻特性区,由它组成的触发电路具有脉冲前沿陡,可以移相等特性。单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图所示。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件,早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极,在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图a中)。当基极B1和B2之间加上电压单结晶体管时(图中b),电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上,且此信号超过原反偏电势时,器件呈导电状态。一旦正偏状态出现,便有大量空穴注入基区,使发射极和B1之间的电阻减小,电流增大,电势降低,并保持导通状态,改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此,这种器件显示出典型的负阻特性(见图c),特别适用于开关系统中的弛张振荡。

#单结晶体管#可控硅#振荡器#交流电焊机#晶闸管

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