1．列出计算霍尔系数、载流子浓度n、电导率σ及迁移率的计算公式，并注明单位？ 霍尔系数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T载流子浓度n＝1/|Rh|迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U)L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB，U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度
载流子的迁移率和浓度的单位分别是什么 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小.同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的.
在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间，即外电场下自由加速的时间
载流子迁移率的单位是什么 c㎡/v·s，载流子迁移率在5261固体物理学中用4102于指代半导体内部电子和空穴整体的运动1653快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。扩展资料：迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。参考资料来源：-载流子迁移率
