本征半导体的导电能力为什么远不如掺杂半导体 很高兴为你解答制成本征半导体是为了讲自然界中的半导体材料进行提纯，然后人工掺杂，通过控制掺杂的浓度就可以控制半导体的导电性，以达到人们的需求本征半导体的。
研究硅的能带在什么晶体方向？初学半导体，请问不同方向有不同的禁带宽度，在掺杂研究中是哪个方向？
杂质半导体的多子浓度取决于 你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题，在非简并情况下，即低掺杂下，分布函数可以简化为玻尔兹曼分布，此时多子浓度随温度的变化主要分三个区域，低温弱电离区，常温全电离区和高温本征激发区，第一个区域多子浓度随温.
硅导电么？ 半导体又是这么一回事？ 1、硅导电，2113硅的电导率与其温度有很大关系，随5261着温度升高，4102电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后1653又随温度的升高而减小。2、半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。扩展资料：硅的物理性质：有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。半导体：最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的。
半导体工作原理，半导体（emicoductor），指常温下导电性能介于导体coductor与绝缘体iulator之间的材料。材料的导电性是由“传导带”（coductioad）中含有的电子数量决定。。
为什么半导体材料多采用硅而不是其他？ 一、解析原因2113这与硅本身的原子5261结构等物理特性有关。一般来说，4102常温下导电能力很强的物体1653称为导体，导电能力很弱的物体称为绝缘体，导电能力介于导体与绝缘体之间的称为半导体，硅、锗、砷化镓等物体的导电能力介于导体与绝缘体之间，故称为半导体。（并不像一楼说的硅长得像金属又不是金属所以叫半导体。囧。石墨不是金属但导电能力很强所以也是导体。在半导体中掺入适量杂质（如硼、磷等），可大大提高半导体的导电能力，称为掺杂半导体（不掺入任何杂质的半导体称为本征半导体），现在所用的电子元件中绝大多数（甚至全部）都是掺杂半导体二、补充说明1、常温下，单质硅有两种同素异形体，一种为暗棕色无定形粉末，可用镁使二氧化硅还原而得，性质比较活泼，能够在空气中燃烧，称为无定形硅；另一种为性质稳定的结晶硅，呈暗黑蓝色，可用炭在电炉中使二氧化硅还原而得。常温下，固态质脆，熔点1687 K（1414℃），沸点3173 K（2900℃），摩尔体积12.06×10^-6 m…3/mol，密度为2.33g/cm^3，本征载流子浓度1.5×10^10cm^-3，电阻率为2300Ω·m。2、三、材料资源1、。
介绍下半导体的掺杂问题？ 不是所有的掺杂都是有效的，因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分，磷硼没copy有缔结成四价键，而是三价，这时候还是不会导电，也不会有pn节。其2113实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合5261，这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时，普通掺杂成功率越4102来越低，学学原子晶体，对半导体的认识会有收获。此外，氮元素电负性太大，与硅掺杂无法形成四价，只能是三价键，不可以导电的1653。
半导体为什么要掺杂？ 半导体“掺杂”的目的是什么？相信你一定很想弄清楚答案！第二次世界大战期间，在研究半导体材料上，美国投入了巨大的人力和资金。当时科学家把方铅矿晶体用在雷达接收器中。
N型半导体和P型半导体的问题 1 硅或锗晶体本身只电中性的，掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的，原子核的电量为+3）.所以掺杂后仍然是电中性2 掺入入五价元素后形成N型半导体.所谓电子多是指“自由电子”多.例如掺入了一个磷原子，其原子核电量为+5，外层有5个价电子，电量为-5.本身是电中性的.但由于硅/锗晶体的结构所限，只能和周围的4个硅/锗原子形成共价键.这时，就多余出一个电子，这叫做自由电子，是可以用来导电的.3 掺入三价元素后形成P型半导体，原理同上.空穴是相对于电子而言的.P型杂质如硼，有3个价电子，与四周4个硅/锗结合时少一个电子，这样留下的空位叫做空穴.有个电子过来填补了空缺，这个电子原来的位置就空出来了，形成了新的空穴，因此电子和空穴的移动方向是正好相反的.实际上说白了就是电子在移动.4 虽然P型半导体和N型半导体都是中性的，但结合在一起时，在交界处一边空穴多，另一边电子多，所以空穴和电子会产生扩散运动，向浓度低多方向扩散，形成PN结其实空穴只是电子移动后留下的空位而已.不论什么半导体，之所以呈电中性是因为电子带的总负电荷数与原子核带的总正电荷数始终是相等的具体可以参考模拟电路的教科书，上面。
硅的结构怎样保证了它的半导体性质 硅不是电子的导体，因为在硅中，由3s和3p原子轨道组成的成键分子轨道能带和等量反键分子轨道能带在能量上有很大的差距.在含有N个原子的晶体中有4N个分子轨道，其中有2N个成键轨道.4N个价电子将填充到2N个成键轨道中；而金属的导电性要求能带不能被充满.硅是一种半导体，单晶硅本身不导电的，要掺杂，要掺杂P或者B，形成空穴，得到N型或者P型半导体.它掺杂后主要形成两种半导体结构：P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，形成P型半导体.在P型半导体中，空穴多于自由电子.N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，形成了N型半导体.这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质.在N型半导体中，自由电子多于空穴.
