霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程. 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小.同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的.
电导率与盐度的关系？ 成正比
霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的。
1．列出计算霍尔系数 、载流子浓度n、电导率σ及迁移率 的计算公式，并注明单位 霍尔系zhidao数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电专流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T载流子浓度n＝1/|Rh|迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U)L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。属Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB，U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度
半导体中载流子数量与电导率的关系 图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p），一定体积的半导体中，电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率，与浓度无关.再补充一句，你理解的很对，但在半导体中不适用“数量”这个词，一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~
不同温度和电导率之间的关系是什么？ 金属的电导率随着温度的升2113高而减小。半导体的电导率5261随4102着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率1653可以被近似为与温度成正比。天然水的电导率与水中离子总量，离子的种类有关，也与温度与压力有关，但压力的影响比较小，只要不在深水中做现场测量，压力的影响可以不考虑。（1）与水的温度变化有关。因为水温升高，水的黏度降低，离子的迁移速度加快，因此测得电导率偏高，反之就偏低，因而要进行校正，以水温20℃时为参比。（2)与离子种类有关。同样浓度电解质，它们的电导率也不一样。通常是强酸的电导率最大，强碱和它与强酸生成的盐类次之，而弱酸和弱碱的电导率最小。因此，通过对水的电导的测定，对水质的概况就有了初步的了解。（3）与离子总量有关。除非特殊情况，电导率的值就是直接反应了水中八大离子的浓度，四种阳离子，四种阴离子，它们也就是水中离子总量。扩展资料测定电导率的意义：纯净的水是不能导电的，也基本不存在百分之百纯净的水，水之所以可以导电是因为其中含有某些盐等电解质，电解质又分为强电解质和弱电解质。弱电解质的电离与平衡常数、浓度、电离度均有关系。同样的，对于强电解质，根据科尔劳施总结的经验式可看出。
影响电子迁移率的因素有哪些？ 迁移率主2113要受材料内部的散射因素影响。其中包括5261声子散射、杂质4102散射、缺陷散射等。其中声子散射在高1653温时影响比较大。杂质散射随掺杂浓度增加而增加。迁移率和载流子浓度的乘积决定了半导体的导电特性，参杂增加载流子浓度增加，电导率增加，但是当参杂过多时将使迁移率减小，从而使电导率减小。因此利用重参杂的方法可以制备高阻半导体材料。
