霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的。
电子电导率和离子电导率的关系？ 这两个是不同的概念，要说关系我还真不知道有什么关系。平时说的导电是指电子流动引起的电流，用电子电导…
影响电子迁移率的因素有哪些？ 迁移率主要受材料内部的散射因素影响。其中包括声子散射、杂质散射、缺陷散射等。其中声子散射在高温时影响比较大。杂质散射随掺杂浓度增加而增加。迁移率和载流子浓度的。
不同温度和电导率之间的关系是什么？ 金属的电导率随着温度的升2113高而减小。半导体的电导率5261随4102着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率1653可以被近似为与温度成正比。天然水的电导率与水中离子总量，离子的种类有关，也与温度与压力有关，但压力的影响比较小，只要不在深水中做现场测量，压力的影响可以不考虑。（1）与水的温度变化有关。因为水温升高，水的黏度降低，离子的迁移速度加快，因此测得电导率偏高，反之就偏低，因而要进行校正，以水温20℃时为参比。（2)与离子种类有关。同样浓度电解质，它们的电导率也不一样。通常是强酸的电导率最大，强碱和它与强酸生成的盐类次之，而弱酸和弱碱的电导率最小。因此，通过对水的电导的测定，对水质的概况就有了初步的了解。（3）与离子总量有关。除非特殊情况，电导率的值就是直接反应了水中八大离子的浓度，四种阳离子，四种阴离子，它们也就是水中离子总量。扩展资料测定电导率的意义：纯净的水是不能导电的，也基本不存在百分之百纯净的水，水之所以可以导电是因为其中含有某些盐等电解质，电解质又分为强电解质和弱电解质。弱电解质的电离与平衡常数、浓度、电离度均有关系。同样的，对于强电解质，根据科尔劳施总结的经验式可看出。
锂离子电池的离子电导率和电子电导率的区别是什么 一、导2113电形式不同：离子导电是指5261电解液内以离子迁移的形4102式进行的；电子1653导电指在固相通过电子迁移完成的导电形式；二、导电率不同：锂离子在由晶格表面向晶格内部迁移，算离子电导率还是电子电导率。三、原理不同：电导率是物体传导电流的能力，是电阻率的倒数。电导率测量仪的测量原理是将两块平行的极板，放到被测溶液中，在极板的两端加上一定的电势(通常为正弦波电压)，然后测量极板间流过的电导。扩展资料：电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率可以被近似为与温度成正比。为了要比较物质在不同温度状况的电导率，必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性，时常可以表达为，电导率对上温度线图的斜率。电导率的测量通常是溶液的电导率测量。固体导体的电阻率可以通过欧姆定律和电阻定律测量。电解质溶液电导率的测量一般采用交流信号作用于电导池的两电极板，由测量到的电导池常数K和两电极板之间的电导G而求得电导率σ。参考资料来源：-电导率
在霍尔效应试验中，如何由测量出的电导率，求载流子的迁移率？ 我来回答吧.直接给结果的话就是v=Rh*I/l*d其中，v为载流子的迁移率，Rh为电导率，I为电流 l 为导体板宽度，d 为板的厚度想知道的话就问吧.
固体电解质为什么需要高的离子电导率和低的电子电导率？
